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          東方晶源微電子科技北京股份有限公司專利技術(shù)

          東方晶源微電子科技北京股份有限公司共有295項專利

          • 本申請?zhí)峁┝艘环N傳輸臂、晶圓傳輸裝置及半導體檢測設備,傳輸臂設置于晶圓傳輸裝置內(nèi)傳輸晶圓。傳輸臂包括安裝段、兩個彎折段和兩個承托段;安裝段沿自身長度方向延伸,傳輸臂通過安裝段安裝于晶圓傳輸裝置;兩個彎折段分別在安裝段的長度方向的端部與安...
          • 本申請公開了一種偏轉(zhuǎn)角測量組件、傾斜度測量機構(gòu)及半導體檢測設備,偏轉(zhuǎn)角測量組件用于獲取樣品臺的待測表面相對于基準面得分偏轉(zhuǎn)角度,偏轉(zhuǎn)角測量組件包括光源、反光模塊與探測器,光源用于激發(fā)垂直于一基準面的入射光束;反光模塊用于與樣品臺連接,具...
          • 本技術(shù)提供了一種半導體傳輸裝置,其包括腔室結(jié)構(gòu)、前端傳輸模塊以及機械手臂。腔室結(jié)構(gòu)形成有互相連通的緩沖腔室、傳輸腔室和主腔室,緩沖腔室用于接收從前端傳輸模塊傳輸?shù)木A。機械手臂設置于傳輸腔室中,用于在緩沖腔室與主腔室之間傳輸晶圓。由于緩...
          • 本發(fā)明涉及集成電路版圖技術(shù)領(lǐng)域,涉及芯片設計版圖處理方法、掩模板、計算機設備及程序產(chǎn)品。處理方法包括:提供版圖,獲取版圖上的主圖形,主圖形內(nèi)部設有第一子圖形及第一游離圖形,第一子圖形內(nèi)部設有第二子圖形及第二游離圖形;基于主圖形獲取對應的...
          • 本申請公開了一種確定輪廓圖形的方法、裝置、設備、介質(zhì)及產(chǎn)品,該方法包括:獲取芯片的圖像,芯片包括多個芯粒,圖像中包括多個芯粒的輪廓圖形;基于每個輪廓圖形對應的版圖圖形的哈希編碼值對多個輪廓圖形進行分組,得到多個輪廓分組,其中,每個輪廓分...
          • 本發(fā)明提供了一種芯粒結(jié)構(gòu)仿真模型的構(gòu)建方法、介質(zhì)、產(chǎn)品及設備。其中上述方法包括:獲取目標芯粒結(jié)構(gòu)對應的目標設計版圖文件以及仿真信息,目標設計版圖文件中包含待仿真的目標芯粒結(jié)構(gòu)中元器件層次的布局布線信息以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)的相對位置和裝配關(guān)系;調(diào)...
          • 本申請公開了一種焦距調(diào)節(jié)機構(gòu)及光學成像系統(tǒng),焦距調(diào)節(jié)機構(gòu)包括固定組件、緊固組件及調(diào)節(jié)絲杠,固定組件包括相互配合的第一固定件與第二固定件,第一固定件與第二固定件中的一者與物鏡連接且另一者與鏡座連接,第一固定件與第二固定件通過緊固組件可拆卸...
          • 本申請公開了一種傳片校正裝置及傳片腔室,該傳片校正裝置包括檢測組件和校正組件;所述檢測組件安裝于傳片腔室的腔壁上,并與上位機相連,用于發(fā)射檢測光束并基于檢測光束的遮擋信息確定晶圓的位置;所述校正組件安裝于所述傳片腔室的腔壁上,并與所述上...
          • 本申請公開了一種晶圓缺口頂點位置的確定方法、裝置、設備、介質(zhì)及產(chǎn)品,涉及晶圓校準技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取晶圓缺口的第一區(qū)域圖像、第二區(qū)域圖像與第三區(qū)域圖像;基于凸缺陷幾何特征,從第一區(qū)域圖像的第一缺口輪廓中識別出包含第一拐點的第一凸缺...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N傳片裝置及半導體設備。傳片裝置包括外殼、兩個承載臺和傳片機構(gòu),外殼包括第一腔室和第二腔室。兩個承載臺設置于外殼內(nèi)并用于承載晶圓,其中一個承載臺位于第一腔室,另一承載臺位于第二腔室。傳片機構(gòu)包括驅(qū)動部件和至少一個承載臂,每...
          • 本發(fā)明提供了一種工作臺運動參數(shù)校正方法和半導體制造設備,校正方法包括控制工作臺沿設定直線方向移動,并測量出工作臺在預設參考坐標系中第一坐標軸方向上的校正樣本行程和第二坐標軸方向上的偏擺樣本位移;其中第一坐標軸方向和設定直線方向之間是映射...
          • 本發(fā)明提供了一種晶圓產(chǎn)品的出貨文件的生成方法、計算機程序產(chǎn)品以及一種計算機設備。晶圓產(chǎn)品的出貨文件的生成方法包括:獲取文件樣例以及為文件樣例配置的文件格式名稱、預設信息項及其描述信息;使用預設信息項及其描述信息解析文件樣例,得到文件格式...
          • 本發(fā)明涉及半導體制造與檢測領(lǐng)域,特別是涉及一種晶圓位置偏差測試方法、平臺及產(chǎn)品。該晶圓位置偏差測試方法包括:在晶圓傳輸裝置旋轉(zhuǎn)過程中,采集標記晶圓的多張圖像,其中,標記晶圓固定于晶圓傳輸裝置的傳輸位置上;根據(jù)標記晶圓的多張圖像計算晶圓傳...
          • 本申請公開了一種半導體檢測設備及其調(diào)節(jié)裝置,調(diào)節(jié)裝置包括載臺、第一升降機構(gòu)和第二升降機構(gòu)。載臺用于承載待檢測的半導體器件。第一調(diào)節(jié)機構(gòu)用于驅(qū)動載臺沿豎向升降且包括第一楔形件和第二楔形件,第二楔形件與第一楔形件通過楔形面可滑動地連接,第二...
          • 本發(fā)明提供了一種電子束傾斜角度的量化方法、電子設備及產(chǎn)品。其中電子束傾斜角度的量化方法包括:通過掃描電子顯微鏡分別獲取具有三維旋轉(zhuǎn)角度的棱錐形樣品的第一圖像和第二圖像;利用差分濾波器增強第一圖像和第二圖像的邊緣信息,并通過二值化方法提取...
          • 本申請涉及半導體領(lǐng)域,公開了一種晶圓承載裝置及晶圓檢測設備,其中,一種晶圓承載裝置,包括承托座,承托區(qū)域設置有限位臺;支撐托包括沿承托座的高度方向凸出于承托座的摩擦接觸表面,摩擦接觸表面用于通過靜摩擦力固定晶圓。用以解決有些半導體材料的...
          • 本發(fā)明提供了一種電子束裝置。其中電子束裝置包括:燈絲,作為陰極連接至負高壓,配置成產(chǎn)生電子束;吸出電極,相對燈絲為正高壓,配置成將電子從燈絲的發(fā)射面吸取出來以形成電子束;以及聚焦透鏡,配置成調(diào)節(jié)電子束的半張角的大小,以在待檢測樣品表面產(chǎn)...
          • 本發(fā)明提供了一種芯粒系統(tǒng)的溫度場預測方法及設備。其中上述方法包括:確定待測的目標芯粒系統(tǒng);由預設混合模型中的仿真模型對目標芯粒系統(tǒng)進行仿真處理,得到仿真結(jié)果,仿真結(jié)果包括目標芯粒系統(tǒng)的溫度場變量;在預設混合模型中的后處理階段通過預先訓練...
          • 本申請公開了一種運輸裝置,運輸裝置包括調(diào)節(jié)件和多個承載件,多個所述承載件間隔設置,每個所述承載件的一端設有移動部件,每個所述承載件上設有承載部,多個所述移動部件用于帶動所述承載件移動,多個所述承載部用于協(xié)同載物;所述調(diào)節(jié)件包括多個調(diào)節(jié)梁...
          • 本申請公開了一種探測信號放大電路及探測設備。電路包括:放大器,放大器的輸入端用于與探測單元連接,放大器的輸出端用于與處理單元連接;增益調(diào)節(jié)模塊,增益調(diào)節(jié)模塊連接于放大器的輸入端與放大器的輸出端之間,增益調(diào)節(jié)模塊的控制端用于與增益控制信號...