本申請屬于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，如應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備的功能或者數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備，尤其是涉及一種配電箱及具備該配電箱的服務(wù)器系統(tǒng)；本申請首先提供一種配電箱，包括配電模組及殼體，配電模組包括：主供電模塊，包括三相主線路，三相主線路上串接有主斷路器；電源...

本申請公開了一種晶圓傳送裝置。晶圓傳送裝置包括殼體，具有傳送腔，所述傳送腔用于容納晶圓；旋轉(zhuǎn)座，能轉(zhuǎn)動地安裝于所述傳送腔中，所述旋轉(zhuǎn)座用于承載所述晶圓并帶動所述晶圓轉(zhuǎn)動；多組偏移檢測組件，沿所述旋轉(zhuǎn)座的周向間隔設(shè)置，各組所述偏移檢測組件...

本申請公開了一種晶圓檢測設(shè)備及晶圓檢測方法，晶圓檢測設(shè)備包括殼體；吸附組件，設(shè)于殼體內(nèi)，包括相連接的靜電吸盤和升降機構(gòu)，靜電吸盤用于吸附晶圓；接觸開關(guān)組件，包括分別安裝于殼體不同腔壁并能通斷連接的第一接觸件和第二接觸件，第二接觸件與升降...

本申請公開檢測系統(tǒng)，包括載物臺、探測器和過濾板，載物臺用于承載樣品；探測器與載物臺沿第一方向間隔設(shè)置，探測器用于收集樣品發(fā)出的信號電子；過濾板位于載物臺和探測器之間，過濾板上至少設(shè)置有一個沿第一方向貫穿過濾板的第一通孔，第一通孔在載物臺...

本發(fā)明提供了一種無限遠校正顯微鏡物鏡以及顯微鏡。其中無限遠校正顯微鏡物鏡包括：依次從物方至像方同光軸設(shè)置的第一透鏡、第一透鏡組、第二透鏡組以及第六透鏡。本發(fā)明的方案，通過對各個透鏡的具體參數(shù)和結(jié)構(gòu)進行設(shè)置，使得無限遠校正顯微鏡物鏡的放大...

本發(fā)明提供了一種深紫外顯微鏡物鏡以及顯微鏡。其中深紫外顯微鏡物鏡包括：依次從物方至像方同光軸設(shè)置的第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡、第七透鏡以及第八透鏡。本發(fā)明的方案，針對260至262nm波長范圍設(shè)計，在該波...

本申請實施例提供一種轉(zhuǎn)換裝置及晶圓檢測設(shè)備，轉(zhuǎn)換裝置包括：轉(zhuǎn)送部和轉(zhuǎn)換機構(gòu)；轉(zhuǎn)送部包括沿第一方向延伸的通道以及第一開口和第二開口，第一開口和第二開口沿第一方向間隔設(shè)置，第一開口用于連通通道與位于通道外部的第一腔室，第二開口用于連通通道與...

本申請公開了一種電子光學(xué)鏡筒及帶電粒子束檢測和成像設(shè)備，用于帶電粒子束檢測和成像設(shè)備的電子光學(xué)鏡筒包括：筒體，其具有沿其軸線延伸且從其第一端指向第二端的光路方向；消像散組件，設(shè)置于筒體內(nèi)；消像散組件被配置為偏轉(zhuǎn)電子束；光闌和探測器，均設(shè)...

本申請公開了一種晶圓工件臺及電子束檢測設(shè)備，該晶圓工件臺包括底座、驅(qū)動組件和承載件；所述底座設(shè)有多個承載柱，所述承載柱用于交接晶圓；所述驅(qū)動組件安裝在所述底座上，用于提供驅(qū)動力；所述承載件安裝在所述驅(qū)動組件上，所述承載件包括安裝板和吸盤...

本申請公開了一種激光定位裝置及晶圓檢測系統(tǒng)，該激光定位裝置包括載物臺、正交性測試反饋組件和光路組件；所述載物臺包括移動機構(gòu)、承載件和測量鏡，所述移動機構(gòu)用于帶動所述承載件在第一方向和第二方向上移動，所述測量鏡安裝在所述承載件上，所述測量...

本申請公開了一種生成集成芯片的有限元模型的方法及相關(guān)產(chǎn)品，該生成集成芯片的有限元模型的方法包括：獲取第一有限元模型和第二有限元模型，其中，第一有限元模型為集成芯片中芯粒的有限元模型，第二有限元模型為集成芯片的有限元模型，第一有限元模型中...

本申請公開了一種檢測設(shè)備、晶圓位置的確定方法及相關(guān)產(chǎn)品，上述檢測設(shè)備包括：第一承載裝置，第一承載裝置包括支撐件和第一轉(zhuǎn)動件，第一轉(zhuǎn)動件繞第一方向轉(zhuǎn)動連接于支撐件；成像裝置，沿第二方向設(shè)置于承載裝置的一側(cè)；第二承載裝置，第二承載裝置設(shè)置于...

本申請?zhí)峁┝艘环N掩膜圖形偏差值確定方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，獲取歷史設(shè)計版圖的圖形密度分布圖和歷史設(shè)計版圖中各圖形的圖形信息，圖形信息包括各圖形間的位置關(guān)系和各圖形分別對應(yīng)的圖形類型；根據(jù)圖形密度分布圖，確定長程偏差評估模型；根據(jù)圖...

本申請公開了一種晶圓的缺陷確定方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，該方法包括：獲取晶圓的噪聲圖像，噪聲圖像基于晶圓的缺陷圖像和參考圖像確定；基于噪聲圖像中的每個像素點的灰度值，對噪聲圖像進行區(qū)域劃分得到多個目標區(qū)域，并基于每個目標區(qū)域生成對應(yīng)...

本申請公開了一種真空度閾值的確定方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，涉及電子束量測技術(shù)領(lǐng)域，該真空度閾值的確定方法包括：在帶電粒子束成像裝置的傳輸腔傳入目標晶圓后，對傳輸腔執(zhí)行抽真空操作；獲取傳輸腔在執(zhí)行抽真空操作的過程中多個時刻的真空度；從...

本申請公開了一種晶圓的檢測數(shù)據(jù)分析方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，應(yīng)用于芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法會將包括多個晶粒的檢測數(shù)據(jù)圖片進行顯示，以便于相關(guān)用戶在檢測數(shù)據(jù)圖片中根據(jù)需求劃分對應(yīng)的多個目標區(qū)域；以基于各目標區(qū)域，對檢測數(shù)據(jù)圖片進行數(shù)據(jù)...

本申請公開了一種帶電子粒子束成像裝置及晶圓缺陷檢測方法，帶電子粒子束成像裝置包括發(fā)射單元、第一會聚單元、第二會聚單元和兩個偏轉(zhuǎn)單元，發(fā)射單元用于發(fā)射粒子束；第一會聚單元設(shè)置于發(fā)射單元的下游，第一會聚單元用于聚集粒子束以形成聚集束；第二會...

本申請?zhí)峁┮环N晶圓平臺及電子束檢測設(shè)備，該晶圓平臺包括座體機構(gòu)、安裝件、靜電吸盤、參考鏡、限位件和第一固定組件，靜電吸盤用于承載晶圓，安裝件連接于座體機構(gòu)的隔離板用于定位該晶圓平臺，限位件的一端位置可調(diào)地連接于安裝件，另一端連接于參考鏡...

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種絕緣耐壓測試設(shè)備及方法。絕緣耐壓測試設(shè)備可應(yīng)用于真空電極的絕緣耐壓測試，絕緣耐壓測試設(shè)備包括設(shè)備本體、多種法蘭接口以及與每種法蘭接口相適配的多種法蘭蓋；法蘭接口分布在設(shè)備本體的周向外表面，設(shè)備本體...

本申請公開了一種掃描電子顯微鏡的調(diào)焦方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該方法基于多個第一焦距獲取第一圖像以及圖像清晰度，預(yù)測圖像清晰度最高的第一目標焦距。然后，再基于第一目標焦距確定的多個第二焦距，分別獲取第二圖像以及...