本發明公開了一種寬動態范圍的金剛石NV色心磁傳感方法及系統，其中，方法包括：（1）在初始磁場環境下，標定金剛石NV色心的初始共振頻率和磁傳感系數；（2）在待測磁場環境下，微波發生器以當前共振頻率為中心頻率向金剛石NV色心施加頻率調制的微...

本申請公開了一種牛奶體細胞計數方法及裝置。該方法包括：接收客戶端發送的牛奶體細胞計數請求，請求中攜帶待處理的熒光圖像；將待處理的熒光圖像輸入預先訓練的牛奶體細胞分割模型，輸出對應的牛奶體細胞分割結果；該模型基于特定數據集訓練得到；對分割...

本發明提供一種用于CMP超純清洗液精密過濾的共價有機框架自支撐薄膜及其制備方法。制備方法包括：將第一有機單體、第二有機單體和磺酰胺類助劑溶于有機溶劑得涂布液；涂布于基底表面進行程序升溫處理：先在低于助劑熔點的溫度下蒸發除去大部分有機溶劑...

本發明提供了一種直流變壓器拓撲，其包含開關管、諧振電容、輸出濾波電容、變壓器和負載，通過對變壓器的原邊繞組采用N+0.5匝的形式，實現直流變壓器拓撲的奇數變比，并縮短繞組長度，減小直流變壓器拓撲的體積與損耗，進而實現直流變壓器拓撲效率與...

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種用于光掩模基板的鉻系涂層及其制備方法、光掩模和半導體元件，該鉻系涂層為純鉻涂層，具有單一微觀結構或復合微觀結構；其中，單一微觀結構包括非晶態、多晶態及非晶?納米晶混合態的任一種；復合微觀結構包括非晶態...

本申請涉及半導體表面工程技術領域，尤其涉及一種石英件表面納米柱生長方法及生長裝置。該石英件表面納米柱生長方法，包括以下步驟：將清洗干凈的石英件置于聚合物穩定劑、醇溶劑、鹽穩定劑水溶液、催化劑和乙醇形成的混合溶液中10min～60min，...

本發明公開了一種溶液法制備高導電、高紅外反射透明金涂層的方法，所述方法包括以下步驟：對石英基材進行預處理；配置有機金涂料；將所述有機金涂料涂覆在預處理后的石英基材上，再通過旋涂法將所述有機金涂料在石英基材上構建均勻有機金涂層；對所得產物...

本申請公開了一種多電平變換器的控制方法及裝置，當多電平變換器的飛跨電容處于不均壓狀態時，根據N?1個第一開關管確定上橋臂中開關管的第一組對偶相序和第二組對偶相序；根據N?1個第二開關管串聯確定下橋臂中開關管的第三組對偶相序和第四組對偶相...

本申請涉及一種分子檢索方法、裝置、計算機設備及存儲介質。該方法包括基于預先訓練完成的編碼器模塊，分別對目標質譜和分子結構庫中的分子結構進行編碼，確定第一目標質譜編碼和多個分子結構編碼；根據第一目標質譜編碼和多個分子結構編碼，確定初始分子...

本發明涉及一種溝槽MOSFET器件及其制造方法，所述溝槽MOSFET器件還包括由外延或摻雜工藝形成的夾斷二極管。所述斷二極管代替了現有技術中的肖特基二極管來解決器件開啟電壓高，反向恢復電荷（Qrr）大的問題。同時，還能在此基礎上進一步降...

本技術涉及一種碳化硅生長裝置，包括石墨坩堝、第一加熱組件和第二加熱組件；所述石墨坩堝用于容納硅溶液；所述第一加熱組件設置在所述石墨坩堝的底壁處，所述第一加熱組件用于減少所述硅溶液在所述石墨坩堝徑向上的溫度梯度；所述第二加熱組件設置在所述...

本申請涉及光學技術領域，公開了一種寬帶圓偏振太赫茲源及其應用，包括沿預定方向運動的自由電子束和位于所述自由電子束上方的堆疊雙各向異性超表面；其中，所述堆疊雙各向異性超表面包括：至少兩層金屬光柵，形成堆疊結構；至少一層介質板，隔開所述金屬...

本申請涉及一種無人機控制方法、裝置、計算機設備和存儲介質。所述方法包括：基于圖像傳感器采集的實時圖像和預設目標檢測模型，確定目標無人機在所述實時圖像中的中心坐標；基于所述中心坐標，確定目標無人機的水平偏轉角和垂直高度角；基于所述水平偏轉...

本發明公開了一種基于Petasis中間體的環肽合成方法，涉及生物醫藥合成領域，利用2?羥基間苯二甲醛衍生物和苯硼酸衍生物與含兩個賴氨酸的多肽偶聯合成環肽。本發明基于Petasis中間體的環肽合成方法無需預修飾、易于操作和規模化，可以實現...

本申請涉及化合物風險評估技術領域，公開了一種全氟化合物環境風險評估方法、裝置、設備及介質，獲取目標化合物的結構描述符和特征描述符；根據結構描述符和特征描述符對目標化合物進行物理化學特性預測，得到目標化合物的毒性數據和物理性質數據；根據結...

本申請涉及光學成像技術領域，公開了一種無目標自動對焦方法、裝置、設備及介質，應用于控制顯微鏡對位于對焦空間內的目標平面進行對焦，對焦空間包括與目標平面平行且在目標平面的兩側的第一參考平面和第二參考平面；控制顯微鏡對第一參考平面上的預設圖...

本發明公開了一種基于雙光梳的圖案晶圓多參量同步檢測系統及方法，屬于晶圓質量檢測領域。該系統包括信號光路、參考光路、檢測光路和一個同步探測模塊。探測光束和參考光束干涉后，經偏振分束器分解為H、V兩路，由第一相機和第二相機同步探測。本發明還...

本發明公開了一種硅襯底上單晶硅外延生長方法，包括步驟：a）提供單晶硅襯底，經清洗后裝入LPCVD反應室，抽真空后，然后通入氫氣，在H2氛圍下進行高溫原位氫刻蝕退火；高溫原位氫刻蝕退火的壓力為10?100Pa，溫度為700?900℃；b）...

本技術公開了一種摩擦發電自供能的仿生魚鰓農業水體凈化裝置，包括用于摩擦發電的發電單元和用于水體凈化的仿生魚鰓單元，發電單元用于給仿生魚鰓單元供電；發電單元包括：銜接管，外側壁上設有摩擦發電電極；渦輪管，套設于銜接管內，渦輪管內設有可由水...

本發明公開了一種衡量兩種電解質分子間形成共晶化合物的方法，屬于共晶技術領域，本發明在充分考慮電解質分子整個表面上的所有相互作用位點的前提下，本發明所展示的共晶形成概率預測方法不需要了解電解質分子結構來估計穩定性，僅通過基于相互作用位點配...