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本發明公開了一種基于單層石墨烯/絕緣層/硅/鍺結構的電荷注入器件，包括柵極、鍺、硅襯底、氧化物絕緣層、源極、漏極和單層石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面時，可見光被半導體硅吸收，其產生的少數載流子被積累到硅襯底中的深耗盡勢阱；紅外光穿過硅...

本發明公開了一種含有金屬硅化物紅外吸收層的石墨烯場效應電荷耦合器件，包括柵極、金屬硅化物紅外吸收層、硅襯底、氧化物絕緣層、源極、漏極和單層石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面時，可見光被半導體硅吸收，其產生的少數載流子被積累到硅的深耗盡勢阱...

本發明公開了一種石墨烯/硅基體溝道電子倍增電荷耦合器件及其讀出方法，該電荷耦合器件采用了埋溝型襯底，包括柵極、半導體硅襯底、溝道層、氧化物絕緣層、源極、漏極與單層石墨烯薄膜；有光線入射時，由于石墨烯的高透明度，可見光進入體硅并被硅所吸收...

本發明公開了一種可提高薄膜體聲波諧振器品質因子Q值的結構，包括襯底、壓電振蕩堆、第一空腔、第二空腔；還可包括有終止層；所述的壓電振蕩堆包括下電極、壓電層和上電極，其中所述第二空腔的寬度與第二空腔距第一空腔邊緣的最短距離相等。本發明通過增...

本發明公開了一種空腔型薄膜體聲波諧振器封裝結構及其制備方法，該結構包括：襯底、基板、壓電振蕩堆和金屬鍵合層，所述壓電振蕩堆和金屬鍵合層位于襯底與基板之間，且金屬鍵合層繞設于壓電振蕩堆四周，是由設于襯底和基板上的金屬柱交叉鍵合形成，在壓電...

本發明提供了等離子體的處理方法，應用于III?V族氮化物功率器件的勢壘調制的制作或III?V族氮化物P型歐姆接觸的制作，對功率器件的表面進行處理，改變了器件表層半導體材料的原子結構和相應電子結構，鈍化了懸掛鍵和補償了空位，以及提高了表面...

本發明提供了一種利用聚合物塑性制備三維透明玻璃的方法，包括如下步驟：步驟1)：合成含有動態化學鍵的聚合物?玻璃微粉復合材料，合成過程中加入鍵交換反應催化劑，固化得到二維形狀Ⅰ；所述鍵交換反應催化劑用于步驟2)中激活動態化學鍵；步驟2)：...

本發明公開了一種乳液冰凍破乳制備聚合物通孔材料的方法，包括：(1)制備含有未交聯的聚合物與交聯劑的乳液，未交聯的聚合物存在于乳液有機相液滴中，交聯劑存在于乳液有機相液滴中或溶于水相中；將乳液置于冷凍條件下，乳液破乳，之后交聯劑與聚合物發...