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          浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心專利技術(shù)

          浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心共有1169項(xiàng)專利

          • 本發(fā)明公開了一種利用簇發(fā)光的熒光信號(hào)原位監(jiān)測聚合物次級(jí)轉(zhuǎn)變的方法,包括:采用熒光光譜測試具有簇發(fā)光現(xiàn)象的聚合物,通過監(jiān)測聚合物自發(fā)熒光強(qiáng)度隨溫度變化的關(guān)系,確定聚合物次級(jí)轉(zhuǎn)變溫度。本發(fā)明通過監(jiān)測聚合物自發(fā)熒光強(qiáng)度隨溫度變化的關(guān)系,在無損...
          • 本發(fā)明涉及一種6系鋁合金及其制備方法,6系鋁合金的組分按質(zhì)量百分比包括Si:1.15~1.35%,Cu:0.30~0.50%,Mn:0.30~0.60%,Mg:0.90~1.30%,Cr:0.15~0.20%,Zn≤0.20%,Ti:0...
          • 本發(fā)明涉及一種鋁合金及其制備方法,所述制備方法包括如下步驟:將鋁合金鑄錠依次進(jìn)行第一次正向擠壓處理、退火處理和第二次正向擠壓處理,制得鋁合金;其中,所述第二次正向擠壓處理的預(yù)熱溫度大于所述第一次正向擠壓處理的預(yù)熱溫度,且所述第二次正向擠...
          • 本發(fā)明公開了一種推挽電路及系統(tǒng),涉及開關(guān)電源領(lǐng)域,本方案僅設(shè)置了第一開關(guān)模塊、第二開關(guān)模塊兩個(gè)開關(guān)模塊,大大降低了開關(guān)管的數(shù)量以及由推挽電路構(gòu)成的DC/DC電源的體積;通過變壓器勵(lì)磁電感上的勵(lì)磁電流實(shí)現(xiàn)了第一開關(guān)模塊和第二開關(guān)模塊的零電...
          • 本發(fā)明公開了一種廣譜抑制新型冠狀病毒的重組多肽及其應(yīng)用,涉及合成生物與醫(yī)藥領(lǐng)域。所述重組多肽是由來源于ACE2的多肽和來源于新型冠狀病毒HR2的多肽通過連接子連接而成,其中來源于ACE2的多肽引入了6個(gè)氨基酸突變(AKT/VEW和NHE...
          • 本發(fā)明公開了一種廣譜抗新型冠狀病毒的雙靶點(diǎn)多肽及其應(yīng)用,涉及生物醫(yī)藥領(lǐng)域。本發(fā)明提供的多肽藥物通過同時(shí)作用于病毒的RBD和HR1兩個(gè)關(guān)鍵靶點(diǎn),能夠更有效地協(xié)同抑制病毒的感染過程。一方面,通過靶向RBD,可以阻斷病毒與宿主細(xì)胞的結(jié)合,從而...
          • 本發(fā)明公開了一種間甲酚和對甲酚的分離方法,以雙二丙氧基柱[5]芳烴晶體材料和/或負(fù)載有雙二丙氧基柱[5]芳烴的吸附材料為吸附劑,選擇性地吸附間甲酚與對甲酚混合物中的間甲酚,實(shí)現(xiàn)間甲酚和對甲酚的分離;雙二丙氧基柱[5]芳烴的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下...
          • 本申請涉及一種熒光檢測系統(tǒng)、方法及存儲(chǔ)介質(zhì),其中,該系統(tǒng)包括圖像采集設(shè)備和在線檢測設(shè)備;圖像采集設(shè)備用于獲取包含熒光檢測體的熒光圖像;熒光檢測體是由熒光染料與待檢測體混合形成的;在線檢測設(shè)備用于讀取熒光圖像中每個(gè)像素的顏色信息,將顏色信...
          • 本發(fā)明涉及一種溝槽型LDMOS器件及其制作方法,所述溝槽型LDMOS器件的源區(qū)和漏區(qū)之間設(shè)置有溝槽,所述溝槽的內(nèi)壁設(shè)置有溝槽介質(zhì)層,所述溝槽內(nèi)依次填充有二氧化硅層和位于所述二氧化硅層表面并充滿所述溝槽的低介電常數(shù)層。由于低介電常數(shù)層和二...
          • 本發(fā)明公開了靶向裂谷熱病毒Gn蛋白的單抗C8和A4及在病毒檢測中的應(yīng)用。使用單抗C8和A4構(gòu)建雙抗夾心ELISA檢測,能特異性的檢測裂谷熱病毒Gn抗原,與其他布尼亞病毒屬病毒如發(fā)熱伴血小板減少綜合征病毒Gn抗原無交叉反應(yīng),單抗序列明確,...
          • 本發(fā)明涉及一種超結(jié)LDMOS器件及其制作方法,所述超結(jié)LDMOS器件的源區(qū)和漏區(qū)之間設(shè)置有淺溝槽,所述淺溝槽的內(nèi)壁設(shè)置有溝槽介質(zhì)層,所述淺溝槽內(nèi)依次填充有二氧化硅層和位于所述二氧化硅層表面并充滿所述淺溝槽的低介電常數(shù)層。由于低介電常數(shù)層...
          • 本發(fā)明涉及一種金剛石膜及其制備方法,所述制備方法包括如下步驟:對襯底進(jìn)行羥基化處理后,置于對苯二甲酰氯溶液中,制得第一襯底,其中,所述第一襯底的表面氯含量為0.5%?1%;將氨基化納米金剛石與有機(jī)溶劑混合制成懸浮液,將所述第一襯底置于所...
          • 本發(fā)明公開了抗裂谷熱病毒Gn蛋白的單抗及在病毒檢測中的應(yīng)用。使用單抗A1和C1構(gòu)建雙抗夾心ELISA檢測,能特異性的檢測裂谷熱病毒Gn抗原,與其他布尼亞病毒屬病毒如發(fā)熱伴血小板減少綜合征病毒Gn抗原無交叉反應(yīng),單抗序列明確,所用單抗可規(guī)...
          • 本發(fā)明公開了一種高純透明石英玻璃的制備方法,包括:將石英胚體放入坩堝中,并在石英胚體上下兩側(cè)放置感應(yīng)加熱元件,在石英胚體的側(cè)面填充導(dǎo)熱材料;然后將坩堝放入真空感應(yīng)加熱爐中,燒結(jié)得到高純透明石英玻璃。本發(fā)明能制備出高透明度、氣泡含量極少、...
          • 本發(fā)明涉及一種LDMOS器件及其制作方法,包括:襯底、漂移區(qū)、體電極、源區(qū)、漏區(qū)、柵氧化層、柵極、隔離氧化層和側(cè)墻,還包括:第一場板,所述第一場板位于柵極和源區(qū)之間的漂移區(qū)表面,部分覆蓋在所述側(cè)墻表面,且所述第一場板接零電位;第二場板,...
          • 本發(fā)明涉及一種柔性光電雙控憶阻器及其制備方法與應(yīng)用,該柔性光電雙控憶阻器包括依次層疊設(shè)置的柔性襯底、底電極、復(fù)合功能薄膜以及頂電極,其中,所述底電極與所述頂電極的材料均選自銀,所述復(fù)合功能薄膜包括層疊設(shè)置的銅基鈣鈦礦層以及第一疏水性聚合...
          • 本發(fā)明公開了一種人工智能抗擾動(dòng)的光刻物鏡波像差測量方法,在光刻物鏡波像差測量算法上,本發(fā)明使用基于物理信息的U型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),在通用的U?NET神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,保留了其整體編碼器?解碼器結(jié)構(gòu),同時(shí)去除了池化層。與傳統(tǒng)四步移相(或者五步移相...
          • 本發(fā)明提供一種植入式壓電器件及其制造方法,該植入式壓電器件包括器件框架、上電極層、下電極層和壓電敏感層。本發(fā)明提供的植入式壓電器件利用點(diǎn)陣工藝增強(qiáng)壓電敏感材料受負(fù)載力的形變程度,提高器件的壓電輸出性能,增強(qiáng)器件的靈敏度;此外,器件框架“...
          • 本發(fā)明涉及一種柔性弱紫外光電突觸器件及其制作方法。所述柔性弱紫外光電突觸器件由柔性電極襯底、GO薄膜、ZnO納米線和電極構(gòu)成。其中,所述器件的GO薄膜和ZnO納米線構(gòu)成ZnO/GO異質(zhì)結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)能夠利用二維材料氧化石墨烯中豐富的含氧官...
          • 本申請涉及碳化硅單晶技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種碳化硅生長裝置。本申請實(shí)施例提供一種碳化硅生長裝置,包括基座、升降裝置和托盤,升降裝置包括固定部和升降部,升降部設(shè)置于固定部且相對于固定部在豎直方向上可移動(dòng);托盤設(shè)置于升降部遠(yuǎn)離固定部的一端,托...