本申請(qǐng)涉及一種WAT數(shù)據(jù)生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：響應(yīng)于WAT數(shù)據(jù)生成請(qǐng)求，對(duì)目標(biāo)工藝條件進(jìn)行預(yù)處理，得到條件嵌入向量；基于標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)分布采樣，確定初始噪聲向量；將所述初始噪聲向量和所述條件嵌入向量輸入至預(yù)設(shè)擴(kuò)散...

發(fā)明涉及一種光子燒結(jié)工藝制備銀納米線導(dǎo)電薄膜的方法及其專用導(dǎo)電墨水，本發(fā)明的光子燒結(jié)專用導(dǎo)電墨水由銀納米線分散液、成膜樹脂溶液、溶劑、還原助劑溶液、表面活性劑稀釋液、燒結(jié)助劑溶液混合而得。本發(fā)明的光子燒結(jié)工藝制備銀納米線導(dǎo)電薄膜的方法，...

本發(fā)明公開了一種季鏻有機(jī)離子籠及其制備方法和應(yīng)用，屬于有機(jī)合成和吸附分離技術(shù)領(lǐng)域，該季鏻有機(jī)離子籠的合成方法包括：以4,4',4”?膦三基三苯甲醛為原料，使其與碘甲烷發(fā)生親核取代反應(yīng)，得到含有碘反離子的季鏻醛前驅(qū)體作為第一中間體；對(duì)第一...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體激光器的單模選擇方法，屬于半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用空間泵浦激勵(lì)半導(dǎo)體激光器，所述半導(dǎo)體激光器為任意腔模滿足布洛赫模式分布的周期性微腔激光器結(jié)構(gòu)；調(diào)制空間泵浦光的空間分布與所述半導(dǎo)體激光器目標(biāo)階數(shù)布洛赫模式的...

本發(fā)明公開了一種金屬有機(jī)框架材料及其制備方法和用途。本發(fā)明基于非離子表面活性劑調(diào)控的金屬有機(jī)框架材料，包括以如鈰等金屬元素作為的配位金屬離子和以1,4,5,8,9,12?六氮雜苯并菲?2,3,6,7,10,11?六甲酸作為的配體，能夠通...

本發(fā)明涉及一種CMOS器件的制作方法，所述CMOS器件的制作方法優(yōu)化了張應(yīng)力薄膜和壓應(yīng)力薄膜的制作過程，保證了NMOS和PMOS能夠同時(shí)采用應(yīng)力技術(shù)。而且分別對(duì)NMOS區(qū)域和PMOS區(qū)域?qū)?yīng)的應(yīng)力薄膜（張應(yīng)力薄膜和壓應(yīng)力薄膜）進(jìn)行紫外線...

本發(fā)明公開了一種硅烷的純化工藝，包括：在250~350℃、光照的條件下，含甲烷雜質(zhì)的硅烷在經(jīng)氫氣還原的光熱催化劑的作用下，甲烷裂解為固態(tài)碳和氫氣；光熱催化劑為核?殼雙功能催化劑和/或核?殼?光敏三功能催化劑；核?殼雙功能催化劑包括鎳核和...

本申請(qǐng)涉及一種問答質(zhì)量評(píng)估模型訓(xùn)練方法以及問答質(zhì)量評(píng)估方法；根據(jù)所有組問答對(duì)對(duì)應(yīng)的評(píng)審模型噪聲概率函數(shù)和偏好概率函數(shù)，構(gòu)建聯(lián)合似然函數(shù)；根據(jù)聯(lián)合似然函數(shù)，構(gòu)建待訓(xùn)練的問答質(zhì)量評(píng)估模型對(duì)應(yīng)的目標(biāo)損失函數(shù)；根據(jù)問答對(duì)偏好數(shù)據(jù)集，訓(xùn)練待訓(xùn)練的...

本發(fā)明公開了一種通過液晶材料穩(wěn)定的ABX3型鈣鈦礦材料及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電材料以及能源材料領(lǐng)域。所述制備方法包括：（1）將碘化鉛與十二烷基二甲基芐基溴化銨混合均勻，熱處理反應(yīng)后獲得液晶材料固體；（2）將獲得的液晶材料固體溶解于有...

本發(fā)明公開了一種面向果實(shí)采摘的農(nóng)業(yè)移動(dòng)機(jī)器人自主導(dǎo)航方法，該方法采用DBSCAN方法和果實(shí)簇分裂的方法對(duì)駐車點(diǎn)進(jìn)行規(guī)劃，從而將篩選出的果實(shí)均落入以獲得的駐車點(diǎn)為圓心，采摘范圍閾值為半徑的范圍內(nèi)，使得農(nóng)業(yè)移動(dòng)機(jī)器人遍歷駐車點(diǎn)就能夠高效的將...

本發(fā)明涉及一種MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件。在所述MOS器件源漏的注入方法中，增加了第二側(cè)墻的工藝，并以柵極、第一側(cè)墻和第二側(cè)墻為掩膜進(jìn)行源漏的注入，最后再去除第二側(cè)墻的源漏掩膜層。該方法制作的MOS器件，...

本發(fā)明公開了一種超分子充電的金屬有機(jī)框架晶態(tài)材料，由B18C6?Zr?MOF通過其分子中的冠醚基團(tuán)與K+絡(luò)合形成；B18C6?Zr?MOF具有三維框架結(jié)構(gòu)，由B18C6?4PhCOOH通過其分子中的羧酸基團(tuán)與Zr4+配位形成；B18C6...

本發(fā)明公開了一種用于制備大尺寸鈣鈦礦單晶或多晶片的裝置，該裝置利用溫度控制單元調(diào)控不同加熱單元的溫度，從而形成溫度差，進(jìn)而在高溫端或低溫端誘導(dǎo)晶核形成，由于加熱單元的溫度可調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了溫度差的大小和位置可調(diào)控，進(jìn)而本發(fā)明能夠基于溫度差的...

本發(fā)明公開了一種籠式共軸結(jié)構(gòu)的激光掃描共聚焦熒光成像系統(tǒng)和方法，該方法利用白光源成像模塊將白光耦合到激光入射模塊，通過激光光路使得白光和激光一起照射樣品表面，激發(fā)的熒光通過熒光光路耦合到光學(xué)性質(zhì)表征設(shè)備中實(shí)現(xiàn)熒光成像，經(jīng)過樣品表面反射回...

本申請(qǐng)涉及一種彈片結(jié)構(gòu)生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：基于預(yù)設(shè)空間約束參數(shù)，生成彈片的初始結(jié)構(gòu)控制參數(shù)；基于所述初始結(jié)構(gòu)控制參數(shù)進(jìn)行擬合，得到彈片三維模型；所述彈片三維模型為符合預(yù)設(shè)幾何驗(yàn)證規(guī)則的彈片三維模型；對(duì)所述...

本發(fā)明公開了一種高純石英的分步焙燒?熱壓酸浸協(xié)同除鐵提純方法，包括：石英砂升溫進(jìn)行第一次焙燒，第一次焙燒溫度為800~950℃，升溫速率為10~15℃/min，第一次焙燒的時(shí)間為1~3小時(shí)，第一次焙燒完成后用與石英砂質(zhì)量比為1.5~2:...

本發(fā)明公開了一種黃金回收方法，包括：將含金元素的混合液與吸附劑接觸，使吸附劑吸附分離出混合液中的金元素；用硫脲浸出法處理吸附完成后的吸附劑，實(shí)現(xiàn)黃金回收的同時(shí)再生吸附劑；吸附劑包括超分子充電的金屬有機(jī)框架晶態(tài)材料，超分子充電的金屬有機(jī)框...

本發(fā)明公開了一種高純石英砂氯化提純尾氣在線檢測(cè)裝置、方法及其應(yīng)用。在線檢測(cè)裝置包括檢測(cè)管、高壓電源和CCD光譜儀；檢測(cè)管連接高純石英砂氯化提純裝置的尾氣口，檢測(cè)管內(nèi)徑不超過4?mm，檢測(cè)管外側(cè)纏繞有兩副線圈，兩副線圈間距為4?5?cm；...

本發(fā)明提供一種基于光場(chǎng)調(diào)控的熱膨脹系數(shù)測(cè)量系統(tǒng)及方法，該測(cè)量系統(tǒng)，包括：光場(chǎng)生成模塊，包括光源和空間光調(diào)制器，所述空間光調(diào)制器用于將所述光源產(chǎn)生的光束進(jìn)行調(diào)制生成包含正交條紋的結(jié)構(gòu)化光場(chǎng)；溫控模塊，用于對(duì)待測(cè)樣品進(jìn)行溫度控制；探測(cè)模塊，...

本申請(qǐng)涉及鈉電池技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種鈉離子電池負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用，其中，所述鈉離子電池負(fù)極材料包括負(fù)極基體和覆蓋在所述負(fù)極基體表面的包覆層，所述負(fù)極基體包括金屬鈉，所述包覆層為Na2Se/Ni層，所述包覆層的厚度為70?80μm...