在負極與正極之間具備固體電解質的二次電池中，存在容量因充放電循環降低的循環劣化的問題。因此，實現可抑制電極的體積變化引起的二次電池的循環特性的劣化的二次電池。作為其手段，使用具有依次層疊的集電體、正極以及固體電解質、具備在集電體與正極之...

一種管接頭的連接結構，將管接頭連接于具有內部流路的連接對象物，管接頭的連接結構具備：筒狀的連接口，該連接口從連接對象物的表面突出；筒狀的被插入部，該被插入部設置于管接頭，供連接口插入；密封部件，該密封部件配置在被插入部內，密封連接口與被...

本發明的目的在于促進多個電池單元的散熱。單元保持器102保持在與電池單元S的軸向方向交叉的第一方向上排列有多個電池單元S的電池列S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7。單元保持器102具備保持部104和開放部105。保持部104以使電...

一種擴展型垂直腔面發射激光器(VCSEL)，包括：橫向外延過生長的半導體區段，所述半導體區段由位于空穴注入III族氮化物層與電子注入III族氮化物層之間的III族氮化物有源區構成；以及位于所述電子注入III族氮化物層一側的納米多孔III...

本發明提供一種改善固體電解質層與電極層的接觸狀態，即使在全固體電池的使用時不施加壓力也能夠充放電的全固體電池的制備方法。作為該手段，使用全固體電池的制備方法，該方法包括：將含有電極活性物質的原料混煉而得到漿料的混煉工序；將漿料涂布于集電...

一種擴展型垂直腔面發射激光器(VCSEL)，包含：橫向外延過生長的半導體區段，所述半導體區段由位于空穴注入III族氮化物層與電子注入III族氮化物層之間的III族氮化物有源區構成；位于空穴注入側的傾斜p型鏡；以及包含位于電子注入側的納米...

本發明提供一種改善固體電解質層與電極層的接觸狀態，即使在全固體電池的使用時不施加壓力也能夠充放電的全固體電池及其制備方法。作為其手段，使用全固體電池，具有：集電體；設置在集電體上的電極層；和以與電極層接觸的方式層疊的固體電解質層，在電極...

一種垂直腔面發射激光器包括：氧化物襯底，該氧化物襯底具有第一面和位于該第一面的相對側的第二面；半導體部，該半導體部設置在該第一面上；AR層，該AR層設置在該半導體部和該第一面之間；第一DBR鏡；和第二DBR鏡，該第二DBR鏡設置在該第二...

快速連接器具備：殼體；保持器；以及壓入構件，其裝配于殼體的外周部，當管道插入到約束位置時能夠壓入，在殼體的外周部的兩側表面分別沿管道插入方向設置有多個第一嵌合部并且設置有鉤掛口，壓入構件具有：基部；一對腳部，其從兩側表面側夾著外周部；多...

配管接頭具備：接頭主體；配管插入部，其由比構成上述接頭主體的材料更軟質且具有彈性的樹脂材料構成，與上述接頭主體為一體，供配管插入；環狀的緊固部件，其配置于上述配管插入部的外周，通過緊固操作從外周側緊固上述配管插入部；以及抑制部，其設置于...

本發明提供一種電極的制備方法，該方法在電極的制備過程即真空干燥時，能夠抑制產生電極剝離，提高制備成品率。該電極的制備方法包括：將電極活性物質、導電助劑和粘合劑混煉得到漿料的工序(S1)；將上述漿料涂布在基板上的工序(S2)；以及使涂布的...

本發明提供一種全固體電池，其抑制了充放電時的界面電阻的增加所導致的循環性能的降低。全固體電池10為通過轉化反應進行充放電的全固體電池，具有包含正極活性物質的正極層11、包含負極活性物質的負極層12和形成于正極層11與負極層12之間的包含...

垂直腔表面發射激光器包括：氧化物基板，其具有第一面和位于第一面相對側的第二面；設置在第一面上的半導體部分；設置在半導體部分和第一面之間的介電濾光層，且介電濾光層具有被配置為提供光學窗口的；第一DBR鏡；以及設置在第二面的彎曲表面處的第二...

一種垂直腔面發射激光器(VCSEL)，包括分布式布拉格反射器(DBR)，其包括在第一軸向上交替布置的第一介電層和第二介電層；以及半導體部分，其包括p型III族氮化物區域、III族氮化物區域和位于p型III族氮化物區域和III族氮化物區域...

冷卻器具有制冷劑通路。冷卻器具備冷卻板部和蓋部，其中，上述冷卻板部具有：多個區劃壁，它們沿長邊方向延伸并在與長邊方向正交的寬度方向上劃分制冷劑通路；和開口，其在作為長邊方向的一個方向的第一長邊方向、和作為與長邊方向及寬度方向正交的高度方...

安全帶調節器具備：導軌，形成有在滑動方向排列的多個卡止凹部；滑塊，以能夠在滑動方向滑移的方式安裝于導軌，并具有貫通孔；鎖定銷，穿過貫通孔并相對于卡止凹部插拔；解除銷，從鎖定銷延伸；保持器，具有鎖定銷收容部；第一施力部件，對鎖定銷施力；操...

流路切換裝置具備：配置為三通閥的多個電磁閥(3A、3B)和設置有所述多個電磁閥的殼體(2)，在所述殼體上設置有：環形路徑(5)，所述環形路徑(5)將所述多個電磁閥相互連接；多個第一流路(6A、6B)，所述多個第一流路(6A、6B)經由所...

本發明的研磨裝置(10)具備：晶圓保持部(31)，保持晶圓(W)，并使所保持的晶圓(W)與研磨面(22a)接觸；平臺驅動部(24)或頭驅動部(34)，在研磨晶圓(W)時，使晶圓保持部(31)相對于被供給漿料(SL)的研磨面(22a)相對...

熱利用發電模塊具備熱利用發電單元，上述熱利用發電單元具有：第1導電層，其具有第1主面以及第2主面，且包含金屬；熱電轉換層，其包括電子熱激發層以及電子輸送層，且位于第1主面上；有機電解質層，其位于熱電轉換層上；以及第2導電層，其位于第2主...

提供能在短時間內進行GaN基板的表面加工的GaN基板的表面加工方法和GaN基板的制造方法。GaN基板的表面加工方法為通過磨削和研磨進行GaN基板的表面加工的GaN基板的表面加工方法。其具備如下工序：高編號磨削工序，用編號為#6000以上...