本發明涉及基板處理設備及基板處理方法。基板處理設備包括：腔室；基板支撐部被可旋轉地安裝在腔室內的工藝空間中，以允許至少一個基板位于其上；第一氣體噴射單元，用于向工藝空間的第一區域噴射源氣體和用于吹掃源氣體的第一吹掃氣體；源氣體供應源，用...

本公開示例性實施例提供一種在容納于腔室中的基板上形成非晶含碳膜的方法，此方法包括：將含硅的源氣體噴灑至腔室的內部中；通過在將碳及等離子體形成氣體噴灑至腔室的內部的同時將第一射頻功率供應至腔室的內部來形成第一等離子體；以及通過在將等離子體...

本發明涉及一種形成銅膜的方法，該方法在位于腔室中的基板上形成銅膜，該方法包括：步驟a），向基板上噴射含銅前體；步驟b），向基板上噴射第一吹除氣體；步驟c），使用氫氣（H2）在基板上形成等離子體；以及步驟d），向基板上噴射包括含氫氣體和含...

根據本公開的實施例的形成半導體裝置的電極的方法包括如下步驟：進行n次包括噴射含釕前體的步驟的釕層形成循環以在基板上形成釕層；以及進行m次包括噴射含金屬前體步驟的金屬層形成循環以在釕層上形成金屬層，其中，依次進行釕層形成循環和金屬層形成循...

公開了一種電極形成方法，用于在基板上形成包含銅和釕的電極，包括：通過使用含釕前驅體進行釕層形成循環N次（N為自然數）來形成釕層，以及通過使用含銅前驅體進行銅層形成循環M次（M為自然數）來在釕層上形成銅層。

本發明提供一種在基板上形成鎵氮氧化物（GaON）層的方法，該方法包括如下步驟：噴射含鎵（Ga）的源材料；通過噴射含氮的第一反應材料來形成鎵氮化物層；以及向鎵氮化物層上噴射含氧的第二反應材料。

本公開的實施例涉及一種形成含鎵膜的方法，該方法在其上形成有金屬膜、硅（Si）膜、硅氧化物（SiO）膜和硅氮化物（SiN）膜中的至少一者的基板上形成含鎵膜。該方法可以包括如下步驟：準備基板；向基板上噴灑含鎵（Ga）源氣體；以及向基板上噴灑...

本公開提供一種有機發光顯示設備，其包括：基板；陽極，陽極設置在基板上；有機發光層，有機發光層設置在陽極上；陰極，陰極設置在有機發光層上；輔助電極層，輔助電極層設置在陰極上，其中，輔助電極層包括第一層、第二層和第三層，第一層設置在陰極上，...

本發明涉及一種太陽能電池及其形成方法，更具體地，涉及一種具有由沉積工藝形成的電荷傳輸層的太陽能電池及其形成方法。根據本發明的實施例的太陽能電池包括基板、設置在基板上的第一電荷傳輸層、設置在第一電荷傳輸層上的光吸收層、設置在光吸收層上的第...

根據本發明一示例性實施例的電容耦合等離子體基板處理設備包含：腔室，包含供基板安裝的基板支撐件；上電極，設置于腔室內的上部以噴射氣體并產生電容耦合等離子體；多個射頻桿，用以在多個位置將射頻功率供應至上電極；射頻功率分配單元，用以將射頻功率...

根據本發明的實施例的半導體裝置包括形成在基板上且包括含貴金屬層的電極、形成在含貴金屬層的一個表面上的介電層以及形成在含貴金屬層與介電層之間且含有鈦（Ti）的覆蓋層。因此，根據本發明的實施例，可以抑制或防止電極與介電層之間的界面發生缺陷。...

本發明提供一種鎵氧化物層的制造方法，通過該方法在基板上形成鎵氧化物（GaO）層，該方法包括：形成第一鎵氧化物層的步驟以及在第一鎵氧化物層上形成第二鎵氧化物層的步驟，其中，形成第一鎵氧化物層的步驟和形成第二鎵氧化物層的步驟中的任一者使用原...

根據本發明的實施例的形成鈦氮化物薄膜的方法包括如下步驟：準備基板；朝向基板噴射含鈦（Ti）的前體，以形成含鈦（Ti）層；以及朝向基板噴射含氮（N）的反應氣體，以形成鈦氮化物薄膜，其中，含鈦（Ti）的前體不含氯（Cl）。因此，根據本發明的...

本公開涉及一種太陽能電池及其制造方法，太陽能電池包括第一半導體層、形成在第一半導體層的一個表面上的第二半導體層、形成在第一半導體層的另一個表面上的第三半導體層、形成在第二半導體層上的第一透明導電層以及形成在第三半導體層的下表面上的第二透...

本發明涉及一種用于基板處理設備的氣化設備以及基板處理設備，用于基板處理設備的氣化設備包括：第一流入單元，第一流入單元被供應液體或固體的前體和第一載氣；擴散單元，擴散單元包括比第一流入單元寬的擴散空間，并且前體在擴散空間中擴散；第二流入單...

根據本發明的實施例的形成釕氧化物膜的方法可以包括：朝向基板噴射含釕（Ru）前體以形成釕膜；向釕膜上噴射含氧氣體以形成釕氧化物膜；以及形成等離子體以使釕氧化物膜暴露于等離子體。因此，根據本發明的示例性實施例，可以形成具有較高氧含量的釕氧化...

本發明涉及一種硅絕緣膜形成方法，更特別地，涉及一種在基板上形成摻雜有氧的硅絕緣膜的硅絕緣膜形成方法。根據本發明的實施例的硅絕緣膜形成方法為形成摻雜有氧的硅絕緣膜的方法，并且包括如下步驟：在反應空間中準備基板；通過原子層沉積工藝在基板上形...

本發明關于一種基板處理設備，包含：腔室，提供處理空間；蓋件，覆蓋腔室的上部；基板支撐單元，支撐著至少一個基板且可繞旋轉軸旋轉，以使基板穿過成像區域；氣體噴射單元，用于將處理氣體噴向基板支撐單元；區域攝影單元，拍攝成像區域的圖像以獲得成像...

本發明的實施例涉及一種從使用前體的工藝裝置排出的廢氣收集前體的收集裝置。收集裝置可以包括：第一收集器，第一收集器設置有供第一冷卻劑通過的冷卻部以使廢氣被冷卻從而被回收，并且第一收集器具有連接到工藝裝置以能夠被控制為真空壓力的內部空間。因...

根據本公開的實施例的形成氮化鎵（GaN）膜的方法為一種在基板上形成氮化鎵（GaN）膜的方法，并且可以包括在基板上形成氮化鎵（GaN）膜的步驟、將氮化鎵（GaN）膜暴露于包含氧（O2）的等離子體的步驟以及將氮化鎵（GaN）膜暴露于包含氫（...