本發明是關于一種電力介面，尤其是關于用于電連接待側物和測試驅動單元的電力介面。根據示例實施例的電力介面包含：支撐件、彈性件、第一連接端部、第二連接端部以及彈性片。彈性件固定到支撐件并提供垂直方向的彈力。第一連接端部設置于彈性件。第二連接...

提供了一種用于監控基板以確定處理過的基板的狀態并檢查處理過的基板中是否存在異常的設備和方法。用于檢查基板的設備包括相對于基板移動并用于安裝基板的基板安裝部、用于監控基板的測量部、被配置為控制測量部的移動路徑使得相對于多個基板至少一些區域...

本發明涉及一種基板支撐裝置及基板處理設備。該基板支撐裝置，即基板處理設備的基板支撐裝置可以包括：圓盤；以及從圓盤的中心徑向布置的多個基板支撐部，基板由多個基板支撐部中的每個基板支撐部支撐。多個基板支撐部中的每個基板支撐部的上表面可以比圓...

本發明涉及基板處理設備的氣體分配設備、基板處理設備以及基板處理方法。該氣體分配設備包括：第一氣體分配模塊，所述第一氣體分配模塊用于將處理氣體分配到第一氣體分配空間；以及第二氣體分配模塊，所述第二氣體分配模塊用于將處理氣體分配到與所述第一...

本發明涉及一種薄膜型太陽能電池，該薄膜型太陽能電池包括：多個單元電池，多個單元電池在基板上彼此串聯連接；以及光透射部，光透射部設置在多個單元電池中，其中，光透射部具有不連續直線結構。本發明包括不連續地形成的光透射部，因此能夠降低由多個點...

一種基板處理裝置包括：盤，包括在自中心軸的恒定半徑處周期性地設置的多個靜電吸盤；支撐盤的盤支架；DC線，通過盤支架電連接到多個靜電吸盤；及電源，被配置為向DC線供電。DC線包括：第一DC線，從電源穿過盤支架；配電單元，被配置為分配第一D...

基板支撐設備的一個實施方式包括：用于支撐基板的支撐構件；和溫度補償構件，所述溫度補償構件設置在所述支撐構件的邊緣并且補償所述基板的溫度，其中所述支撐構件可由光透射材料形成，所述溫度補償構件可由不透明材料形成，并且所述溫度補償構件的表面可...

根據本發明實施例的電容耦合等離子體基板處理設備包括：處理室，其提供被抽真空且密封的內部空間；氣體入口，其連接到處理室以將處理氣體提供到處理室內部；氣體分配單元，其連接到氣體入口以將引入氣體入口的處理氣體注入內部空間；阻抗匹配網絡，其設置...

本發明提供一種防潮膜，包含第一防潮膜；形成在第一防潮膜上的第二防潮膜；以及形成在第二防潮膜的第三防潮膜，其中該第二防潮膜的氧(O)濃度高于該第一防潮膜和該第三防潮膜中的每一者的氧濃度；一種制造防潮膜的方法以及包含防潮膜的一種有機發光裝置。

基板放置部的實施例涉及一種設置在基板處理設備中的基板放置部。基板放置部被分成多個內部區域和外部區域，內部區域具有內部加熱線和外部加熱線，外部區域置于基座邊緣、包圍內部區域且包括外部加熱線，其中在至少部分區域中，內部加熱線設置在相同內部區...

本發明涉及一種用于基板處理設備的氣體分配設備以及基板處理設備，所述氣體分配設備包括：分配體，向對基板進行支撐的基板支撐單元分配處理氣體；第一注入孔，設置在分配體中，向基板支撐單元分配的處理氣體經由第一注入孔注入；以及第二注入孔，設置在分...

一種基板處理裝置可包括：第一盤，其設置在腔室中并且被配置為執行轉動運動，第一盤包括周期性地布置在距中心軸的特定半徑內的多個座孔；多個第二盤，其分別設置在座孔中并且被配置為根據第一盤的轉動運動進行繞轉及旋轉運動；第一旋轉連接器結構，其設置...

本發明涉及用于基板處理設備的氣體噴霧器及基板處理設備，其包括：等離子體產生部，用于產生等離子體，以便在由基板支撐部支撐的基板上執行處理工藝；接地體，接地體與等離子體產生部耦接；以及等離子體屏蔽部，用于屏蔽由等離子體產生部產生的等離子體，...

本發明涉及一種有機發光裝置及其制造方法，且更特定來說，本發明涉及一種用于防止有機發光裝置的缺陷區域擴大的有機發光裝置及其制造方法。根據示范性實施例，一種有機發光裝置包含：襯底；有機發光部件，其通過將包含有機發光層的多個層堆疊于所述襯底上...

本發明涉及一種基板處理設備，用于噴射源氣體和反應氣體，所述設備包括：第一排放管路，排出相比于源氣體包含更多的反應氣體的第一廢氣；第二排放管路，排出相比于源氣體包含更多的反應氣體的第二廢氣；捕獲裝置，安裝在第一排放管路中；以及第三排放管路...

公開了一種基板處理設備，其能夠改善在基板上沉積的薄膜的均勻度，并且還能夠自由地調整生產率，其中，所述基板處理設備可以包括：用于提供處理空間的處理室；基板支撐體，其可旋轉地設置在所述處理空間中，用于支撐至少一個基板；面對所述基板支撐體的室...

本發明提供一種太陽能電池的制造方法，該方法包括：在半導體晶片的上表面上形成第一半導體層并且在半導體晶片的下表面上形成極性與第一半導體層的極性不同的第二半導體層的工序；在第一半導體層的上表面上形成第一透明導電層而使第一半導體層的一部分暴露...

本發明公開了一種基板處理設備及廢氣處理方法。在根據本發明的基板處理設備和廢氣處理方法中，廢氣分解模塊可以分解從處理室排出的源氣體以分解源氣體的配體。此外，配體和配體已被分解的源氣體通過與分別供給的O2、N2O或O3反應，可以處于穩定狀態...

根據本發明實施例的基板處理裝置可以包括：處理腔室；基板支撐部，安裝在所述處理腔室中以支撐多個基板，所述基板支撐部沿一定方向旋轉；腔室蓋，覆蓋所述處理腔室的頂部以與所述基板支撐部相對；以及氣體分配單元，安裝在腔室蓋中以在空間上分離不同的第...

公開了一種加工基板的裝置和方法，其中，所述裝置包括：加工腔室；用于支撐至少一個基板的基板支撐體，其中，所述基板支撐體設置在所述加工腔室中，并朝預定方向旋轉；與所述基板支撐體相對的腔室蓋，所述腔室蓋用于覆蓋所述加工腔室；以及具有用于將氣體...