本申請涉及存內(nèi)計算存儲器技術領域，尤其涉及一種具備頂部全局柵極線的三維鐵電存儲器及其制備方法。所述具備頂部全局柵極線的三維鐵電存儲器包括：中心柵極，沿相對于所述底部襯底的垂直方向延伸設置；半導體疊層結構，所述半導體疊層結構包括依次環(huán)所述...