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          深圳市優恩半導體有限公司專利技術

          深圳市優恩半導體有限公司共有18項專利

          • 本申請涉及半導體器件加工技術領域,尤其是涉及一種半導體晶圓承載結構。其包括驅動組件、夾緊組件和外殼,其中驅動組件包括驅動桿和傳動桿,驅動桿上套設傳動錐齒輪,驅動桿設有與傳動錐齒輪配合的驅動錐齒輪,夾緊組件包括凸輪、頂桿和滑塊,凸輪套設于...
          • 本申請涉及一種多芯片封裝結構,涉及半導體封裝技術領域,所述多芯片封裝結構包括PCB板、散熱結構以及多個芯片,所述PCB板包括安裝面;所述散熱結構固定于所述安裝面,所述散熱結構包括多個呈L形狀的散熱片,所述散熱片且呈周向間隔布置,所述散熱...
          • 本申請涉及硅片制造的技術領域,具體公開了一種TVS芯片新型擴散工藝。一種TVS芯片新型擴散工藝,包括以下步驟;清洗:將硅片浸泡到復合處理液中進行處理,然后取出進行超聲波清洗,最后干燥,得到清洗硅片;其中復合處理液的原料包括如下重量份的組...
          • 本發明公開一種TVS二極管器件、制造方法與裝置,器件包括由導電型半導體襯底、以刻蝕外延PN疊層形成的第一溝槽分離出的兩PN疊塊、覆蓋該第一溝槽開口并連接兩PN疊塊的第一表面隔離層、設置在兩PN疊塊的輸入/輸出電極,導電型半導體襯底以反面...
          • 本發明公開一種柵極過壓保護的芯片晶體管結構與制造方法,柵極過壓保護疊層以上下交疊形成兩層或兩層以上PN疊層的方式形成在半導體柵極之上或之下,源極金屬與柵極過壓保護疊層或者柵極過壓保護疊層與漏極半導體層形成上下層接觸。本發明具有使芯片內柵...
          • 本發明公開一種柵極過壓保護的芯片晶體管結構與制造方法,柵極過壓保護疊層以上下交疊形成兩層或兩層以上PN疊層的方式形成在半導體柵極之上或之下,源極金屬與柵極過壓保護疊層或者柵極過壓保護疊層與漏極半導體層形成上下層接觸。本發明具有使芯片內柵...
          • 本申請屬于電子技術領域,提供了一種電源保護電路及電壓保護器,通過浪涌保護電路接入直流電源,并對接入的直流電進行浪涌保護,然后由退耦延時電路與浪涌保護電路連接,對直流電進行退耦延時處理生成供電信號,采用過壓關斷電路與退耦延時電路連接,由過...
          • 本申請公開了浪涌保護電路、供電裝置以及POE設備,通過第一瞬態二極管的第一端分別與供電設備的輸入電壓輸入端和電源正極連接,第一瞬態二極管的第二端分別與信號地和電源負極連接,第M第一二極管的正極與供電設備的第M輸出電壓輸出端連接,第M第一...
          • 一種過壓浪涌保護電路及裝置,其中,過壓浪涌保護電路通過采用電源信號保護電路和數據信號保護電路,實現了對輸出電源同傳設備輸出的電源信號和數據信號的浪涌干擾抑制,且通過采用中間退耦隔離電路,實現了對電源信號和數據信號的干擾互串的抑制,使得輸...
          • 一種隔離通信電路及裝置,其中,隔離通信電路通過采用浪涌防護電路,實現了對浪涌電壓的吸收,避免由于雷擊浪涌、電力線感應和電力線搭接、電源波動、靜電放電等產生的浪涌電壓過大而導致信號轉換電路中過大器件損壞的情況出現,且通過采用信號隔離電路,...
          • 一種具有多級組合防護功能的網絡保護電路、具有多級組合防護功能的網絡連接器及具有多級組合防護功能的網絡通信系統,網絡保護電路包括:防浪涌模塊、網絡隔離模塊及靜電防護模塊;當網絡連接設備與數據收發設備之間進行網絡通信時,防浪涌模塊能夠對于至...
          • 本實用新型屬于電子設備技術領域,提供了一種TVS二極管器件及用于以太網接口的信號保護電路,通過設計一種新型的TVS二極管器件,使得TVS二極管器件具有低電容、高浪涌的特性,并將該TVS二極管器件應用于信號保護電路中,通過在以太網接口與以...
          • 本實用新型屬于電子設備技術領域,提出了一種用于車載電子設備的瞬態抑制二極管器件,該瞬態抑制二極管器件包括了第一引線、第一散熱片、第一瞬態抑制二極管芯片、第二散熱片、第二瞬態抑制二極管芯片、第三散熱片以及第二引線,通過將第一引線、第一散熱...
          • 本實用新型屬于電子設備技術領域,提供了一種浪涌保護電路,該浪涌保護電路包括第一保護單元、退耦單元以及第二保護單元,通過第一保護單元和第二保護單元兩級防護電路吸收浪涌電流對次級電路進行保護,采用退耦單元消除電路中的寄生耦合,使得電源輸出端...
          • 本實用新型屬于電子設備技術領域,提供了一種低殘壓網絡接口防護電路,該低殘壓網絡接口防護電路連接于差分信號源與后端網絡集成電路之間,該低殘壓網絡接口防護電路包括第一級保護單元、第一級退耦單元、第二級保護單元以及第二級退耦單元,通過第一級保...
          • 本實用新型提供了一種雙向TVS二極管,包括N型襯底、N型外延層、第一擴散區、第二擴散區、N型多晶硅、鈍化保護層、第一電極金屬層以及第二電極金屬層,通過增加第一擴散區與N型外延層之間的結面積使得雙向TVS二極管的放電面積增加,從而達到更高...
          • 壓敏電阻
            本實用新型涉及電子器件領域,提供了一種壓敏電阻,包括芯片組件和固封外殼,芯片組件包括芯片、第一放電電極、第二放電電極、第一引腳以及第二引腳;芯片具有第一面和第二面,第一放電電極具有第一連接部和連接在所述第一連接部上的第一支撐部,第二放電...
          • 一種防雷模塊
            本實用新型屬于防雷技術領域,提供了一種防雷模塊。在本實用新型實施例中,防雷模塊包括外殼以及封裝于外殼內的電連接體,電連接體上配置有防雷保護電路,防雷保護電路的第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端、第二輸出端以及接地端均向外引出,且分別作為...
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