半導體器件可以包括：在基板上的晶體管；在晶體管上的第一布線結構；在第一布線結構上的第一接合焊盤結構；第二布線結構，在第一布線結構上的并且在水平方向上與第一接合焊盤結構至少部分地重疊；第二接合焊盤結構，在第二布線結構上且與第二布線結構間隔...

可驅動的機器人包括：至少一個傳感器；驅動單元；至少一個處理器；以及存儲器，用于存儲至少一個指令，至少一個指令在由至少一個處理器運行時進行以下操作：如果在由至少一個傳感器獲取的捕獲圖像中識別到旋轉門，基于捕獲圖像識別旋轉門中的自由空間的自...

一種堆疊的半導體裝置包括：基礎半導體管芯和多個核心半導體管芯，在垂直方向上堆疊；多個溫度感測電路，分別包括在所述多個核心半導體管芯中；轉換電路，被包括在基礎半導體管芯中；以及多個垂直導電路徑，電連接基礎半導體管芯和所述多個核心半導體管芯...

公開了一種用于壓控振蕩器（VCO）的系統和方法。第一VCO核心包括具有第一導電類型的第一交叉耦合（CC）晶體管對和具有第二導電類型的第二CC晶體管對。第二VCO核心包括具有第一導電類型的第三CC晶體管對和具有第二導電類型的第四CC晶體管...

提供了一種顯示驅動電路，包括：至少一個處理器，被配置為生成與多個模式中的第一模式相對應的第一伽馬碼；伽馬電壓生成器，被配置為生成與第一模式相對應多個伽馬電壓；數據驅動器，被配置為基于第一伽馬碼和多個伽馬電壓生成與第一伽馬碼相對應的數據信...

提供了半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括：溝道層；設置在溝道層上的阻擋層；設置在阻擋層上的柵電極；源電極和漏電極，連接到溝道層并且在柵電極的相應側上；下場分布圖案，在柵電極和漏電極之間彼此間隔開；以及上場分布圖案，在下場分布圖案上...

提供了一種調制解調器芯片和包括調制解調器芯片的片上系統。所述調制解調器芯片接收包括由多個碼塊組成的傳輸塊的碼字，并且包括混合自動重傳請求（HARQ）處理電路和內部存儲器，混合自動重傳請求（HARQ）處理電路被配置為：針對所述碼字執行基于...

一種半導體封裝件可包括：第一再分布結構；子半導體封裝件，在第一再分布結構上，其中，子半導體封裝件可包括：第二再分布結構，橋接裸片，在第二再分布結構上，第一模制材料，在第二再分布結構上被構造為覆蓋橋接裸片，第三再分布結構，在第一模制材料上...

提供了一種電子裝置。該電子裝置可以包括第一天線。該電子裝置可以包括第二天線。該電子裝置可以包括電源電路，該電源電路包括第一電源電路和第二電源電路。該電子裝置可以包括第一前端模塊（FEM），該第一FEM包括連接到第一電源電路并且可連接到第...

提供了一種在單元陣列結構中包括反熔絲單元陣列的存儲器裝置。該存儲器裝置包括：核心外圍電路結構，其包括第一接合金屬焊盤；以及單元陣列結構，其布置在核心外圍電路結構上方并且包括與第一接合金屬焊盤接觸的第二接合金屬焊盤。單元陣列結構包括多個存...

公開了包括主晶體管和子晶體管的半導體裝置。主晶體管包括：主溝道層；主柵電極，位于主溝道層上；主柵極半導體層，位于主溝道層與主柵電極之間；源電極和漏電極，位于主柵電極的相對側上并且連接到主溝道層；以及場分散層，位于主溝道層上，并且位于主柵...

本公開涉及一種用于支持較高數據傳輸速率的5G或6G通信系統。無線通信系統中用于多播和廣播會話的尋呼監視操作的方法和裝置。一種由用戶設備（UE）執行的方法包括：在UE駐留的小區的載波上監視低功率喚醒信號（LP?WUS）；接收LP?WUS；...

公開了一種包括可折疊殼體的電子裝置。所述電子裝置可以在展開位置通過前顯示器提供內容時從展開位置轉變到折疊位置。所述電子裝置可以基于檢測到所述轉變，識別所述電子裝置的顯示器所面向的方向。所述電子裝置可以基于轉變之前的顯示方向是否對應于轉變...

一種存儲設備包括核心外圍電路結構和單元陣列結構。單元陣列結構包括第一子陣列和第二子陣列。核心外圍電路結構包括第一偶數子字線驅動器電路和第二偶數子字線驅動器電路以及第一奇數子字線驅動器電路和第二奇數子字線驅動器電路。核心外圍電路結構的第一...

提供了一種半導體封裝，包括：封裝襯底，具有設置在封裝襯底的頂表面上的第一上連接焊盤和第二上連接焊盤；第一半導體芯片，設置在封裝襯底上；第二半導體芯片，設置在第一半導體芯片上；多個第一芯片焊盤和多個第二芯片焊盤，分別設置在第一半導體芯片和...

根據實施例的顯示設備包括：顯示器；旋轉顯示器的旋轉驅動模塊；存儲一個或多個指令的存儲器；以及運行一個或多個指令的至少一個處理器，其中，至少一個處理器通過運行一個或多個指令可以：在顯示器的狀態不對應于要在顯示器上顯示的圖像內容的屬性的情況...

一種圖像傳感器包括襯底和多個像素區。多個像素區中的至少一個包括在襯底中的光電轉換部和襯底的第一表面相鄰的像素電路。像素電路包括多個晶體管。多個晶體管包括包含第一柵電極的第一晶體管及包含第二柵電極的第二晶體管。第二柵電極具有與第一柵電極不...

一種半導體裝置包括：基底絕緣層；柵極結構，在基底絕緣層上在第一方向上延伸；多個溝道層，在第二方向上彼此間隔開，第二方向與基底絕緣層的上表面垂直，所述多個溝道層在基底絕緣層上并且被柵極結構圍繞；第一源極/漏極區域和第二源極/漏極區域，在柵...

在實施例中提供了一種用于多爾蒂功率放大器的電子設備。該電子設備可以包括：耦合器，其用于獲取射頻（RF）輸入信號；功率放大器電路，其包括載波放大器電路和峰值放大器電路；以及電阻器選擇電路，其用于從多個阻抗中向耦合器提供隔離阻抗。

根據實施例的一種電子裝置可包括：電子組件；和屏蔽罩，包括面向所述電子組件的開口。所述電子裝置可以包括：屏蔽結構，在所述屏蔽罩上并覆蓋所述開口；以及導熱構件，被附接到所述電子組件，通過所述開口與所述屏蔽結構接觸，并且位于所述電子組件與所述...