本公開提供了一種發光二極管。發光二極管包括：外延結構和電流阻擋結構；電流阻擋結構位于外延結構上，電流阻擋結構包括多個第一電流阻擋結構和多個第二電流阻擋結構，多個第一電流阻擋結構和多個第二電流阻擋結構交替相連排列；在第一方向上，第一電流阻...

本公開提供了一種具有短響應時間的發光二極管及其制備方法，屬于半導體器件領域。該發光二極管包括：依次疊設的N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層和P型電流擴展層；多量子阱層包括周期性交替層疊的量子阱層和量子壘層，量子阱層的厚度為3~5nm...

本公開提供了一種石墨基座和發光二極管的制備方法，屬于外延生長技術領域。該石墨基座的表面具有多個開口，所述多個開口包括位于所述石墨基座的中心區域的多個內圈孔和位于所述石墨基座的周邊邊緣的多個外圈孔，多個所述外圈孔環繞多個所述內圈孔；所述外...

本公開提供了一種改善焊盤連接可靠性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、絕緣層和焊盤，所述絕緣層位于所述外延層的表面上，所述絕緣層的表面具有露出所述外延層的連接過孔，所述焊盤位于所述絕緣層的表面，且...

本公開提供了一種改善DBR氧化的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括依次層疊的n型層、有源層和p型層；所述n型層包括n型DBR層，所述n型DBR層包括交替層疊的多個GaAs層和多個GaAsP層。本公開實施例能...

本公開提供了一種發光器件及其制備方法、顯示面板，屬于光電子制造技術領域。該發光器件包括：基板、粘合層和多個發光結構，所述粘合層位于所述基板的承載面上，多個所述發光結構間隔排布所述粘合層上；所述粘合層具有排氣通道，所述排氣通道從所述粘合層...

本公開提供了一種改善側向光反射率的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層和絕緣層，所述絕緣層位于所述外延層的表面上，且延伸至所述外延層的側壁，位于所述外延層的側壁上的所述絕緣層具有空腔。本公開實施例能減...

本公開提供了一種濕法清洗設備，屬于半導體制造技術領域。該濕法清洗設備包括：第一清洗槽、預熱槽和電動閥門，所述預熱槽通過連接管路與所述第一清洗槽連通，所述電動閥門連接在所述連接管路上；所述預熱槽上設有動態加熱裝置，所述動態加熱裝置被配置為...

本公開提供了一種制品的清洗設備及其清洗方法，屬于半導體制造技術領域。該清洗設備包括：第一機械手、第二機械手、藥液槽、第一沖洗槽、甩干槽和下料臺，所述藥液槽、所述第一沖洗槽、所述甩干槽和所述下料臺沿同一方向順次排布；所述第一機械手用于將制...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法。晶體管包括：溝道層、勢壘層、P?GaN層、AlGaN層、源極、漏極和柵極；勢壘層位于溝道層上，P?GaN層、源極和漏極均位于勢壘層上，且P?GaN層位于源極和漏極之間，柵極位于P?GaN層上；AlGa...

本公開提供了一種改善裂片的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括：控制反應室內的生長溫度為第一溫度，在襯底上生長n型層；向所述反應室內通入氮氣和氫氣并停止通入MO源，控制所述反應室的生長溫度從所述第一...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：外延結構、電流阻擋層、透明導電層、電極結構和鈍化層；電流阻擋層包括間隔設置的第一電流阻擋結構和第二電流阻擋結構，第一電流阻擋結構和所述第二電流阻擋結構均位于外延結構的表面上，第一電...

本公開實施例提供了一種發光二極管芯片的檢測裝置，屬于半導體技術領域。該檢測裝置包括載體和位于載體的表面的檢測電極層，檢測電極層包括在第一方向上交替間隔布置的多個第一檢測電極和多個第二檢測電極，第一檢測電極和第二檢測電極的長度方向均為第二...

本公開公開了一種具有復合緩沖層的半導體芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該半導體芯片，包括依次疊設的襯底、復合緩沖層和半導體層；所述復合緩沖層包括N極性GaN層、AlN插入層和Ga極性GaN層，所述N極性GaN層、所述AlN插入層和...

本公開提供了一種改善翹曲的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括：將襯底放置在反應腔的托盤上；向所述反應腔內通入反應氣，控制所述托盤旋轉以在所述襯底上生長緩沖層，生長所述緩沖層的過程中，控制所述托盤的...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：外延結構、介質層、透明導電結構和反射層；介質層具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，介質層還具有多個間隔排列的介質孔；外延結構位于介質層的第一表面，透明導電結構位于介質孔的底面...

本公開提供了一種微型發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括依次層疊的n型GaN層、淺阱層、多量子阱層和p型含鋁半導體層；所述淺阱層包括交替層疊的多個InyGa1?yN層和多個GaN層，0.01＜Y＜0.1；所述...

本公開提供了一種具有高發光效率的微型發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該微型發光二極管芯片包括依次疊設的第一電流擴展層、第一半導體層、有源層、第二半導體層和第二電流擴展層；第一半導體層為第一導電類型，第二半導體層為第二導電...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法。晶體管包括：溝道層、第一勢壘層、P?GaN層、鈍化層、第二勢壘層、源極、漏極和柵極；第一勢壘層位于溝道層上，P?GaN層、源極和漏極均位于第一勢壘層上，且P?GaN層位于源極和漏極之間，鈍化層覆蓋P?...

本公開提供了一種定向出光的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：發光塊、反射層和金屬電極層；所述發光塊位于所述金屬電極層的表面上，所述反射層位于所述金屬電極層的表面上，且覆蓋所述發光塊，所述反射層的遠離所述金...