一種基于SOME/IP協定的封包傳輸方法于此揭露。方法包括以下步驟：通過第一電子控制單元將至少一個信號、序列號和時間戳封裝成服務數據封包；產生校驗碼并加入至服務數據封包；將對應至少一信號的通信識別碼加入至服務數據封包；將該服務數據封包根...

本發明提供一種負極材料的制造方法、負極材料、負極電極以及鋰離子電池，該方法包括：將一金屬鹽類化合物加入一第一溶劑中，以形成一第一混合物；將一硅基材料加入該第一混合物，以形成一第二混合物；將該第二混合物進行一第一熱處理后，取得一中間產物；...

本發明提供一種正極復合材料的制造方法、正極復合材料、正極電極以及鋰離子電池，該方法包括：提供一第一混合物；將該第一混合物以一第一預定溫度加熱一第一預定時間，取得一反應物；將脯胺酸以一預定濃度加入該反應物中，取得一第二混合物；以及將該第二...

一種基于SOME/IP通信協議的車載電子系統和其數據傳輸方法于此揭露。車載電子系統包括作為服務端的第一電子控制單元用于提供第一服務和第二服務和作為第一客戶端的第二電子控制單元用于請求或訂閱服務端所提供的服務。第一服務和第二服務各自具有服...

本發明提供一種自對準的多重式溝槽MOSFET及其制造方法。所述的制造方法，包括在襯底上形成外延層，在外延層內形成深阱區，在外延層的表面的深阱區內形成第一導電型重摻雜區。在外延層的表面上形成一圖案化硬掩膜，以暴露出部分外延層。進行多次溝槽...

本發明提供一種碳化硅溝槽式MOSFET及其制造方法。所述的碳化硅溝槽式MOSFET，包括襯底、在襯底上的外延層、溝槽、底部保護區、在外延層內的第一與第二導電型重摻雜區、側壁保護區、基極區、厚氧化層、柵極氧化層、分離的多個柵極以及絕緣材料...

本發明提供一種復合固態電解質。復合固態電解質包括鋰鑭鋯鉭氧化物納米粉體以及Li2PO3F。Li2PO3F包覆鋰鑭鋯鉭氧化物納米粉體的外表面，其中Li2PO3F與鋰鑭鋯鉭氧化物納米粉體的重量比大于等于5。本發明的復合固態電解質用于電池中具...

本發明提供一種自動扶梯的控制系統和控制方法?？刂品椒ò喉憫谟|發事件發生，控制自動扶梯以切換自動扶梯的運行方向。

本申請提供了一種充電控制系統，包括第一供電開關、第二供電開關、用于連接電動車的第一輸出接口、用于連接用電設備的第二輸出接口、檢測模塊和控制模塊，第一供電開關和第二供電開關的輸入端均連接至外部電源，第一供電開關的輸出端連接第一輸出接口，第...

本發明提供一種語意相關的學習方法及裝置。對獲取圖像編碼，以生成特征圖。對多個類別信息編碼，以生成多個語意嵌入。融合特征圖與語意嵌入，以生成融合特征。通過預測模型預測融合特征對應的類別信息。根據預測的類別信息及獲取圖像的真實信息之間的損失...

一種訓練方法，在一或多個回合的各時間步中所述方法包含下列步驟。由稀疏智能體根據狀態產生動作。自經驗回放池獲取候選樣本，以更新稀疏智能體的當前神經網絡，并且其中更新當前神經網絡的步驟包含下列步驟。根據候選樣本，計算損失函數。根據損失函數，...

本申請提供一種電池泄壓裝置、電池箱體和電池。一種電池泄壓裝置包括閥座、閥體和閥芯，所述閥座可組卸地連接所述閥體，所述閥座內開設有第一泄壓通道，所述閥體內開設有第二泄壓通道，所述第一泄壓通道連通所述第二泄壓通道，所述閥芯設于所述第二泄壓通...

本申請提供一種深度估計方法、裝置、電子設備及存儲介質，所述方法包括：將初始圖像分割為多個子區域圖像，對每個子區域圖像進行特征提取得到特征向量；將所述特征向量輸入預先訓練的深度估計模型，利用所述深度估計模型中的編碼器獲得所述特征向量對應的...

本申請提供一種數據采集方法、神經網絡訓練方法、電子設備及存儲介質，所述數據采集方法包括：采集車輛在第一預設時間的第一行車數據以及所述車輛在所述第一預設時間之后的預設時段內的多組第二行車數據；根據所述多組第二行車數據生成所述第一預設時間對...

本發明提供一種柵極驅動電路及其操作方法。柵極驅動電路包括電荷共享電路。電荷共享電路包括第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第一開關晶體管以及第二開關晶體管。第一電阻的第一端耦接第一工作電壓。第一電容的第一端耦接第一電阻的第二端，并且...

本申請提供一種電控玻璃裝置，包括反向電控玻璃組件和控制模組；反向電控玻璃組件包括反向電控玻璃，用于在接收到電信號時保持霧化狀態，并用于在未接收到電信號時保持透明狀態；控制組件與反向電控玻璃電性連接，用于切換反向電控玻璃的通電狀態；當控制...

本申請涉及車輛技術領域，提供了一種車輛參數的生成方法、配置方法及車載設備，生成方法包括：獲取駕駛員信息及對應的車輛信息。基于車輛信息，獲取車輛參數信息。根據駕駛員信息與車輛信息的對應關系可以確定駕駛員信息與車輛參數信息的對應關系。由于車...

一種存儲器裝置包含晶體管、第一金屬層與第二金屬層。晶體管包含柵極層、源極區域與漏極區域，其中源極區域與漏極區域分別在柵極層的兩側。第一金屬層在晶體管上，其中第一金屬層包含位元線，電性連接晶體管的漏極區域。第二金屬層在第一金屬層上，其中第...

本申請提供一種基準標簽結構，包括多面體結構和多個基準標簽；所述多面體結構包括非共面的多個表面，每一所述基準標簽形成于一個所述表面上，每一所述基準標簽包括攜帶編碼信息的二維圖案。對于本申請的基準標簽結構，當激光雷達識別基準標簽結構上基準標...

一種半導體結構，包括在基板上的半導體層上的柵極結構；在柵極結構及半導體層上連續延伸且包括第一部分、第二部分及在柵極結構上表面上的第三部分及第四部分的第一介電層；在至少第一部分及第四部分上的蝕刻停止層上的第二介電層；及場板。場板包括第二介...