本申請?zhí)峁┮环N陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置；陣列基板包括：基板；數(shù)據(jù)線和掃描線，數(shù)據(jù)線和掃描線的數(shù)量為多個，數(shù)據(jù)線和掃描線交叉設置于基板上，相鄰兩數(shù)據(jù)線與相鄰兩掃描線在基板上限定形成像素區(qū)域；像素電極，設于像素區(qū)域；薄膜晶體...

本發(fā)明提供一種顯示面板及顯示終端，顯示面板包括柵極驅動電路，柵極驅動電路包括級聯(lián)的多個驅動單元電路，每一驅動單元電路包括至少一薄膜晶體管，薄膜晶體管包括第一金屬層、有源層、第二金屬層以及第三金屬層；第二金屬層與第一金屬層之間形成第一電容...

本發(fā)明的實施例公開了一種背光模組及顯示裝置，背光模組包括：背板，包括形成容置空間的底板和側板；第一反射片，設于所述底板上；光源，設于所述第一反射片上；膠框，與所述背板連接，所述膠框包括前擋板、側擋板和連接所述前擋板和側擋板的連接板，所述...

本申請涉及一種TFT基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。該TFT基板包括顯示區(qū)和驅動區(qū)，所述驅動區(qū)用于驅動所述顯示區(qū)進行顯示，其中所述驅動區(qū)的器件遷移率高于所述顯示區(qū)的器件遷移率。本申請中TFT基板包括顯示區(qū)和驅動區(qū)，且設置驅動區(qū)的器...

本申請?zhí)峁┮环N薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板；其中，薄膜晶體管包括：基板；柵極層，設置于基板上；電子阻擋層，設于柵極層上，電子阻擋層的材料功函數(shù)大于或等于5eV；柵極絕緣層，覆蓋于電子阻擋層；半導體層，設置于柵極絕緣層上；源漏極層，設...

本發(fā)明提供了一種彩色濾光片及其制備方法、彩色電子紙。所述彩色濾光片有若干像素單元，每一像素單元中設有至少兩個子像素以及圍繞所述子像素的填充區(qū)。所述彩色濾光片包括若干色阻顆粒、若干支撐柱以及保護層。所述色阻顆粒設于一基板上，并位于所述子像...

本申請公開了一種薄膜晶體管和顯示面板。所述薄膜晶體管包括：玻璃基板，柵極，設置在所述玻璃基板上；柵絕緣層，設置在所述玻璃基板上，且覆蓋所述柵極；氧化物半導體復合膜層，設置在所述柵絕緣層上，且位于所述柵極的上方；源漏極，包括源極和漏極，設...

本申請公開了一種液晶顯示裝置。所述液晶顯示裝置具有邊框區(qū)，所述液晶顯示裝置包括液晶顯示面板和背光模組；所述背光模組設置在所述液晶顯示面板的入光側，所述背光模組包括量子點膜和第一棱鏡片，所述第一棱鏡片位于所述量子點膜靠近所述液晶顯示面板的...

本申請實施例提供一種彩膜基板的制備方法及液晶顯示面板的制備方法。本申請實施例提供的彩膜基板的制備方法，首先在襯底基板的背面形成透光導電層，以形成抗靜電效果，之后在透光導電層的表面形成保護層以對透光導電層進行保護，最后在襯底基板的正面形成...

本申請的實施例公開了一種液晶配向薄膜、液晶盒、液晶顯示器件及其制備方法。本申請的實施例采用環(huán)化劑與PI配向膜的表面發(fā)生環(huán)化反應，這能提高PI配向膜表面的環(huán)化率，從而提升PI配向膜的各向異性；而PI配向膜各向異性的提高有助于提高液晶分子形...

本申請?zhí)岢隽艘环N陣列基板及制作方法、移動終端；該陣列基板包括襯底和設置在襯底上的有源層，有源層包括設置在襯底上的第一有源部和設置在第一有源部上的第二有源部，其中，第二有源部內的晶體質量占比大于或等于第一有源部內的晶體質量占比；本申請通過...

本申請公開了一種量子點膜及其制作方法、背光模組以及顯示裝置，其中，量子點膜包括至少兩個量子點層以及多個隔離層，至少兩個量子點層層疊設置，每一個量子點層內具有多個量子點和阻隔結構；阻隔結構具有多個框格，量子點填充于框格內；相鄰兩個量子點層...

本發(fā)明提供一種隔墊物制作裝置及顯示面板。隔墊物制作裝置包括第一加熱構件、曝光構件、顯影構件、光固化構件及第二加熱構件，第一加熱構件用于對涂布有隔墊物材料的彩色濾光片基板進行第一加熱處理，使隔墊物材料進行第一次固化；曝光構件用于對第一次固...

本申請實施例公開了一種顯示面板及其制作方法，顯示面板包括陣列基板和像素定義層，像素定義層上設置有多個子像素槽和多個防混色凹槽，任意兩相鄰且不同顏色的子像素槽之間至少設置有一防混色凹槽。本申請可以避免當像素定義層受到紫外光或粒子摻雜處理后...

本申請公開一種半導體器件、陣列基板及顯示裝置。其中，半導體器件包括：第一晶體管和第二晶體管。本申請采用將兩個晶體管相并聯(lián)的方式，兩個晶體管的柵極接入相同的電壓，兩個晶體管的漏極電性連接，由于兩個晶體管的電子遷移率不同，因此兩個晶體管的閾...

本申請實施例公開了一種陣列基板和顯示面板，包括：基板、薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設置在所述基板上，所述薄膜晶體管包括有源層，以及遮光層，所述遮光層設置在所述基板上，所述遮光層遮擋所述有源層，所述遮光層的材料包括硅半導體材料；采用遮光層遮...

本發(fā)明的實施例公開了一種應用于真空濺射設備的基板承載裝置，包括：支撐框架；若干支撐支架，間隔地固定安裝于所述支撐框架上；壓力傳感器，設于所述支撐支架上；支撐頂針，設于所述壓力傳感器上；托盤，設于所述支撐頂針上，用于承載基板。根據(jù)本發(fā)明，...