本技術(shù)涉及一種激光芯片的雙面封裝結(jié)構(gòu)，包括銅片，所述銅片的頂面和底面均固定安裝有絕緣板層，兩側(cè)所述絕緣板層相背離銅片的一側(cè)均固定設(shè)置有銅箔，所述銅片的頂面和底面且位于相應(yīng)絕緣板層的內(nèi)側(cè)均設(shè)置有芯片焊盤位。該激光芯片的雙面封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)設(shè)...

本技術(shù)涉及一種多激光芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括銅片，所述銅片的頂部固定安裝有中部存在缺口的絕緣板層，所述絕緣板層的頂部設(shè)置有數(shù)量不少于一個(gè)的銅箔，所述銅片的頂部且位于絕緣板層的中部缺口內(nèi)側(cè)固定安裝有數(shù)量不少于一個(gè)的芯片焊盤。該多激光芯片的封裝...

本發(fā)明涉及一種多激光芯片封裝激光器，通過(guò)設(shè)置每個(gè)激光單元均包括熱沉、激光芯片、準(zhǔn)直透鏡、斜面棱鏡、兩個(gè)引腳和短程金線形成完整的獨(dú)立芯片單元，以及激光單元按照第一個(gè)和第二個(gè)激光單元的引腳的接電方式周期排列，相鄰激光單元通過(guò)遠(yuǎn)程金線形成電性...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光芯片，由下至上依次為包括襯底、N型半導(dǎo)體層、量子阱層、P型半導(dǎo)體層、耗盡區(qū)調(diào)節(jié)層、絕緣層、P面電極，所述耗盡區(qū)調(diào)節(jié)層位于P型半導(dǎo)體層和絕緣層之間。該半導(dǎo)體激光芯片通過(guò)設(shè)置耗盡區(qū)調(diào)節(jié)層為金屬層，并且耗盡區(qū)調(diào)節(jié)層的功...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器制造技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種提高半導(dǎo)體激光器波導(dǎo)光限制的光子晶體制備方法，包括以下步驟：S1：采用激光隱切技術(shù)，控制激光功率在激光器外延片材料損傷閾值以下，對(duì)所述外延片進(jìn)行光子晶體微納結(jié)構(gòu)預(yù)制；其中，高頻脈沖激光作用...

本發(fā)明涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體激光器芯片及制造方法。該半導(dǎo)體激光器芯片包括單元芯片，所述單元芯片自下而上為襯底、應(yīng)力塊和激光器芯片結(jié)構(gòu)層，所述激光器芯片結(jié)構(gòu)層包括兩個(gè)改善區(qū)域和一個(gè)常規(guī)區(qū)域，且常規(guī)區(qū)域位于兩個(gè)改善區(qū)域的中部，...

本發(fā)明涉及激光芯片測(cè)試機(jī)的并行測(cè)試及數(shù)據(jù)處理優(yōu)化裝置，包括多通道測(cè)試模塊、智能溫控模塊、數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)處理優(yōu)化模塊以及中央控制模塊。本發(fā)發(fā)明采用多通道并行測(cè)試架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了多個(gè)激光芯片的同步測(cè)試，大幅提高了測(cè)試效率；結(jié)合改進(jìn)Z?sco...

本發(fā)明涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，公開一種集成電阻激光器，自下而上依次為N面電極層、器件結(jié)構(gòu)層、接觸層、第一絕緣層、P面電極層，所述器件結(jié)構(gòu)層包括N型半導(dǎo)體層、量子阱層和P型半導(dǎo)體層；所述接觸層包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)，所述第一接觸區(qū)和第二接...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種激光器N面接觸制備方法。該制備方法通過(guò)在晶圓片N面減薄后采用P面與承載晶圓鍵合的形式，給與晶圓片提供支撐，降低后續(xù)工藝難度；通過(guò)先沉積SiO2制備硬掩模，第一次刻蝕將圖形刻蝕至SiO2硬掩模上，再進(jìn)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，公開一種半導(dǎo)體激光器及其制造方法，包括外延結(jié)構(gòu)和脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)的正面設(shè)置有脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括第一段脊、第二段脊和第三段脊，第一段脊的一端為出光腔面。該半導(dǎo)體激光器，通過(guò)將脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)由第一段脊...

本發(fā)明涉及一種晶圓片存放盒，包括盒體，所述盒體的內(nèi)側(cè)固定安裝有數(shù)量不少于兩個(gè)的限位環(huán)，多個(gè)所述限位環(huán)的右側(cè)且位于盒體的內(nèi)側(cè)均活動(dòng)安裝有夾持環(huán)，多個(gè)所述夾持環(huán)的頂部和底部均固定安裝有卡套環(huán)，頂部和底部所述卡套環(huán)的內(nèi)側(cè)均活動(dòng)安裝有活動(dòng)桿，頂...

本發(fā)明涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種晶圓真空吸附貼蠟裝置，包括加熱臺(tái)，所述槽板座的內(nèi)側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)連接有螺紋絲杠，所述涂蠟架的頂部固定連接有蠟料盒，所述涂蠟架的頂部固定安裝有增壓氣泵，所述涂蠟架的內(nèi)側(cè)固定安裝有噴涂管，所述涂蠟架的內(nèi)后壁固定...

本發(fā)明涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種同時(shí)具備縱模橫模選擇的邊發(fā)射激光器及其制備方法。該邊發(fā)射激光器包括芯片元件、模式調(diào)制結(jié)構(gòu)和絕緣層，芯片元件的頂部設(shè)置有脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，模式調(diào)制結(jié)構(gòu)位于芯片元件頂部脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的一側(cè)；模式調(diào)制結(jié)構(gòu)包括環(huán)形腔和...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種激光器芯片的鍍膜裝置，包括工作臺(tái)，所述螺紋絲杠的外部螺紋連接有滑臺(tái)座，所述鍍膜箱的內(nèi)后壁固定安裝有渦流式接近開關(guān)，所述平移臺(tái)的頂部設(shè)置有抓取件，所述夾具環(huán)座的頂部設(shè)置有行星齒輪件，所述夾具環(huán)座的內(nèi)...

本發(fā)明涉及激光器焊接技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種半導(dǎo)體激光器對(duì)準(zhǔn)焊接裝置，包括封裝箱，所述第一氣缸的底部活動(dòng)連接有氣動(dòng)手指，所述電動(dòng)滑軌的正面固定安裝有接近開關(guān)，所述機(jī)械臂的頂部設(shè)置有夾爪件，所述L形安裝板的內(nèi)頂壁設(shè)置有光電檢測(cè)元件，所述L形...

本技術(shù)涉及一種具有防護(hù)結(jié)構(gòu)的包裝運(yùn)輸盒，包括盒體，所述盒體的內(nèi)部設(shè)置有防護(hù)固定裝置，所述防護(hù)固定裝置包括安裝塊和伸縮桿，所述盒體的內(nèi)底壁固定安裝有安裝塊，所述安裝塊的頂部固定安裝有伸縮桿，所述安裝塊的外部固定安裝有彈簧阻尼器。該具有防護(hù)...

本技術(shù)涉及一種激光器封裝結(jié)構(gòu)，包括光學(xué)調(diào)控?zé)岢疗脚_(tái)和外殼，所述光學(xué)調(diào)控?zé)岢疗脚_(tái)包括芯片裝配區(qū)和光學(xué)調(diào)制區(qū)，所述光學(xué)調(diào)制區(qū)的左側(cè)且位于芯片裝配區(qū)的頂部固定安裝有熱沉，所述熱沉的頂部固定安裝有激光器芯片。該激光器封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)將光學(xué)調(diào)控?zé)岢?..

本發(fā)明涉及激光器封裝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體元器件的TO封裝管座和制造方法，包括底座，底座的頂部固定安裝有散熱柱，底座的左右兩側(cè)均開設(shè)有定位槽，底座的內(nèi)側(cè)固定安裝有玻璃絕緣子，玻璃絕緣子的內(nèi)側(cè)固定安裝有引腳。該半導(dǎo)體元器件的TO封裝管...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種無(wú)損傷的半導(dǎo)體激光器腔面制備方法。該方法包括：定位半導(dǎo)體晶圓的晶向，得到半導(dǎo)體晶圓的最易解離面；刻蝕出平行于最易解離面的解離引導(dǎo)槽，在刻蝕過(guò)程中對(duì)解離引導(dǎo)槽的脊形保護(hù)區(qū)域的棱角處進(jìn)行圓弧化過(guò)渡...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子器件工藝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體激光器的制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體激光器元件的光束整形。本發(fā)明創(chuàng)新性地采用選區(qū)微加工技術(shù)，在腔面解理前通過(guò)對(duì)晶圓預(yù)處理實(shí)現(xiàn)激光器腔面的選區(qū)光學(xué)限制微結(jié)構(gòu)，消除腔面發(fā)光，提高光束質(zhì)量。本...