本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件測試領(lǐng)域，具體是一種GaN器件熱點(diǎn)定位與結(jié)溫定量測量方法和系統(tǒng)。所述方法包括：獲取工作狀態(tài)下目標(biāo)GaN器件表面的紅外熱像數(shù)據(jù)與拉曼光譜數(shù)據(jù)；基于拉曼光譜數(shù)據(jù)，計算獲得微區(qū)拉曼溫度數(shù)據(jù)；基于微區(qū)拉曼溫度數(shù)據(jù)對紅外熱像數(shù)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件測試技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種GaN器件的壽命快速預(yù)測方法和系統(tǒng)。所述方法包括：獲取待測GaN器件的物理結(jié)構(gòu)屬性與使用場景信息；基于物理結(jié)構(gòu)屬性與使用場景信息確定關(guān)鍵工況參數(shù)及對應(yīng)的目標(biāo)應(yīng)力條件；基于目標(biāo)應(yīng)力條件對待測Ga...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體材料表面缺陷消除裝置及系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中外延層的缺陷影響器件性能和成品良率的問題；通過在安裝座上設(shè)置有激光器和反射機(jī)構(gòu)，通過反射機(jī)構(gòu)將激光器所發(fā)射的激光反射到表面缺陷檢測件的正下方，以對半導(dǎo)體材...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種高電子遷移率晶體管的擊穿電壓優(yōu)化方法及系統(tǒng)，所述方法包括如下步驟：獲取高電子遷移率晶體管的異質(zhì)結(jié)材料能帶參數(shù)，基于所述異質(zhì)結(jié)材料能帶參數(shù)得到臨界擊穿電場關(guān)聯(lián)參數(shù)；根據(jù)所述臨界擊穿電場關(guān)聯(lián)參數(shù)對所述高電...

本申請公開了一種GaN射頻器件及其測試方法。該GaN射頻器件結(jié)構(gòu)包括襯底、氮化鎵緩沖層、氮化鎵主體層、勢壘層及絕緣層。頂部絕緣層表面設(shè)有兩類開口形狀不同的通孔，通過在不同目標(biāo)區(qū)域填充導(dǎo)電材料形成歐姆接觸，以測試不同電極配置下的器件性能。...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件智能檢測技術(shù)領(lǐng)域，具體為基于多模態(tài)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件檢測評估方法及系統(tǒng)，上述方法包括構(gòu)建檢測設(shè)備配準(zhǔn)模型和數(shù)據(jù)過濾模型，利用配準(zhǔn)模型對數(shù)據(jù)檢測模塊進(jìn)行調(diào)整，結(jié)合調(diào)整后的半導(dǎo)體器件數(shù)據(jù)檢測模塊和數(shù)據(jù)過濾模型得到半導(dǎo)體器件...

本申請公開了一種GaN功率器件及其制作方法，應(yīng)用于柔性電子、高頻微波功率等特殊應(yīng)用場景，本制作方法通過在藍(lán)寶石襯底第一表面制備圓錐型凹槽陣列以緩解晶格失配應(yīng)力，生長氮化鎵緩沖層及HEMT單元后，在減薄的襯底第二表面制備圓臺型凸起陣列，利...

本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種GaN器件電流崩潰抑制方法和系統(tǒng)。該方法包括：獲取GaN器件的實時監(jiān)測數(shù)據(jù)；構(gòu)建風(fēng)險等級預(yù)測模型，并將所述實時監(jiān)測數(shù)據(jù)輸入所述風(fēng)險等級預(yù)測模型得到風(fēng)險等級；構(gòu)建參數(shù)補(bǔ)償預(yù)測模型，基于所述風(fēng)險等級將所述實...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體材料表面缺陷檢測消除設(shè)備，包括工作臺；移運(yùn)組件，所述移運(yùn)組件設(shè)于所述工作臺上，用于對半導(dǎo)體材料進(jìn)行移運(yùn)，使半導(dǎo)體材料到達(dá)不同的工位；表面缺陷檢測組件，設(shè)于檢測位，包括：安裝架、表面檢測儀、側(cè)面檢測儀和側(cè)面檢測儀驅(qū)動件...