本發明提供了一種ONO介電介質柵極結構的SiC?MOSFET芯片及制造方法，包括：N+襯底和N?外延，在N?外延內設有P?well注入區、N+注入區、P+注入區；ONO柵極結構包括：依次堆疊設置的第一柵極氧化層、第一柵極SiN層、第二柵...