本技術實施例提供的半導體物料自動搬運裝置和半導體物料傳輸系統，涉及半導體技術領域，該半導體物料自動搬運裝置包括電氣開關、半導體搬運組件以及傳送組件，傳送組件的控制器與傳送組件的電源通過電氣開關電連接，在半導體搬運組件位于初始位置時，半導...

本申請提供了一種負壓產生裝置與半導體加工系統，涉及半導體加工技術領域。該負壓產生裝置包括主管道、支路管道、第一集塵機構以及負壓泵，主管道豎直設置，且第一集塵機構位于主管道的最下方，并與主管道可拆卸連接，主管道的上方用于與加工設備連通；支...

本申請提供一種連接器及加熱裝置，涉及電器技術領域。該連接器包括連接器主體以及分別連接于連接器主體的第一插口和第二插口，第一插口用于連接加熱器插頭，第二插口用于連接電源插頭，連接器主體的內部設置有電路板，第一插口經電路板與第二插口電連接，...

本申請公開了一種電源線公插頭及電源線，涉及電源線技術領域。電源線公插頭包括底殼以及蓋設在底殼上的蓋體，底殼上設置有導線伸入的開口，沿導線的伸入方向底殼內依次設置有主夾持結構、主引導結構、在主引導結構遠離主夾持結構的一端設置的多道分約束結...

本申請提供了一種屏蔽柵場效應晶體管及其制作方法，涉及半導體技術領域。該屏蔽柵場效應晶體管包括控制柵與屏蔽柵，控制柵包括多個主體柵極與多個互連柵極，相鄰兩個主體柵極之間交錯排布，且相鄰兩個主體柵極的端部位置通過互連柵極相連，并形成方形結構...

本申請提供了一種圍合式屏蔽柵場效應管及其制作方法，涉及半導體技術領域。該圍合式屏蔽柵場效應管包括硅臺面區、屏蔽柵、控制柵以及氧化層，屏蔽柵、控制柵均包圍硅臺面區設置，屏蔽柵、控制柵以及硅臺面區之間均間隔設置，且氧化層填充于屏蔽柵、控制柵...

本申請提供了一種風扇運行檢測裝置與晶圓加工系統，涉及晶圓加工技術領域。該風扇運行檢測裝置應用于晶圓加工系統，晶圓加工系統包括風扇，且風扇通過出風口出風；風扇運行檢測裝置包括金屬片、電源、感應片以及報警器，電源分別與金屬片、報警器電連接，...

本申請公開一種晶圓厚度測量裝置及方法，涉及光學技術領域，包括紅外低相干光源、分光棱鏡、反射鏡、載臺、驅動件、紅外探測器和數據處理單元，紅外低相干光源發出的光束經分光棱鏡分光后分別入射至反射鏡和待測晶圓，又經反射鏡和待測晶圓原路反射后入射...

一種排氣裝置及涂膠設備，涉及涂膠設備技術領域。本申請提供的排氣裝置，包括管道，管道的相對兩端分別設置有入氣口和出氣口，入氣口與涂膠單元的基座連接，涂膠單元產生的氣體由入氣口進入管道，并由出氣口向外界排出；排氣裝置還包括入液管和排液管，入...

本申請提供了一種光刻膠噴涂裝置與晶圓處理系統，涉及涂膠顯影技術領域。該光刻膠噴涂裝置包括進膠管路、離心式氣液分離裝置、排泡模塊、泵以及出膠管路，進膠管路、離心式氣液分離裝置、排泡模塊、泵以及出膠管路依次連通，進膠管路用于通入呈液體狀的光...

本申請提供了一種防掉溫裝置與半導體加工系統，涉及半導體技術領域。該防掉溫裝置應用于刻蝕設備，刻蝕設備包括工藝腔體與加熱模塊，加熱模塊位于工藝腔體內，防掉溫裝置包括控制器、不間斷電源、開關模塊以及溫度傳感器，控制器分別與開關模塊、溫度傳感...

本申請提供一種內膠杯高度測量裝置，涉及晶圓涂膠加工技術領域。該內膠杯高度測量裝置包括安裝座、支撐板和高度測量桿；支撐板固定設置于安裝座的頂部，高度測量桿包括桿身、測量探頭和顯示屏，桿身沿豎直方向穿設于支撐板，顯示屏位于桿身遠離安裝座的端...

本技術提出一種壓力監控機構及尾氣處理機，屬于半導體設備領域，壓力監控機構通過每個廢氣管連通尾氣處理機的腔體和一個主設備，并通過檢測管連通至少兩個廢氣管，使得安裝于檢測管上的壓力傳感器可以同時監控兩條廢氣管路的壓力，極大地改善了尾氣處理機...

本技術提供了一種溝槽氧化層結構及半導體器件，涉及半導體技術領域。該溝槽氧化層結構包括：外延片；位于外延層外的溝槽；填充于溝槽內的第一多晶硅層、第二多晶硅層以及氧化層，氧化層包括第一氧化層、第二氧化層與第三氧化層。第一多晶硅層位于第二多晶...

本技術公開一種夾持機構及夾持設備，涉及半導體設備技術領域。該夾持機構包括夾具本體，夾具本體上設置有至少兩個夾持臂，至少兩個夾持臂呈相對設置，每個夾持臂均具有伸出至夾具本體外的伸出狀態和回縮至夾具本體內的縮回狀態，夾持臂處于伸出狀態，以使...

本申請提供了一種屏蔽柵溝槽型晶體管，涉及半導體技術領域。該屏蔽柵溝槽型晶體管包括晶圓襯底，晶圓襯底包括原胞區、截止環區和劃片道區；截止環區環繞原胞區，劃片道區環繞截止環區；原胞區設有屏蔽柵溝槽，截止環區設有截止環溝槽，劃片道區設有應力平...

本技術提供一種預熱水槽裝置及系統，涉及半導體技術領域。其中，預熱水槽裝置包括加熱模塊與監測模塊，監測模塊包括監測單元、報警單元；監測單元分別與加熱模塊、報警單元連接；加熱模塊、報警單元以及監測單元還均分別與供電裝置連接。監測單元用于監測...

本申請公開了一種溝槽隔離結構及半導體器件，涉及半導體技術領域，本申請的溝槽隔離結構，包括基體，基體上至少包括第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度，第一凹槽的槽底設置第一隔離體，第二凹槽的槽底設置第二隔離體，第一隔離體...

本申請提供了一種半導體離子注入設備及系統，涉及半導體技術領域。該半導體離子注入設備包括燈絲和絕緣組件，燈絲包括第一引腳和第二引腳，絕緣組件包括第一絕緣組件、第二絕緣組件和第三絕緣組件。其中，第一絕緣組件的一端套設于第一引腳上，第二絕緣組...

本技術涉及半導體設備技術領域，具體而言，涉及一種晶圓承載臺取片真空管路設備。晶圓承載臺取片真空管路設備包括承載平臺、第一管道、第二管道、第三管道、真空控制閥和三通控制閥；第二管道能夠作為真空運輸的管道，以使得從承載平臺、第一管道、三通控...